[发明专利]一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法及电子设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

形成在衬底基板上的有源层和光感应层；

其中，所述光感应层与所述有源层相接触，从而构成异质结，使得所述光感应层受近红外光照射后能够产生流向所述有源层的载流子。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述光感应层的形成材料包括：PBDTT、PC61BM、P3HT、PEDOT和PSS中的一者或任意几者的组合。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述有源层的形成材料包括：IGZO。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

源漏金属图形；

所述光感应层设置在所述有源层远离所述源漏金属图形的一侧，或者所述光感应层图形设置在有源层靠近所述源漏金属图形的一侧，且所述光感应层图形在衬底基板的正投影与所述源漏金属图形在衬底基板上的正投影存在不重叠的区域。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：

形成在衬底基板上的栅电极和栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述光感应层与所述栅电极之间。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅电极位于所述光感应层远离所述衬底基板的一侧；

所述栅电极的形成材料包括：NiCr、Au和Pt中的一者或任意几者的组合。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅电极在平行于所述衬底基板的截面上，至少有一部分呈为V型，且该V型的部分的设置区域与所述光感应层的设置区域正对设置。

8.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成源漏金属图形、有源层和光感应层的步骤；

其中，所述光感应层与所述有源层构成异质结，从而使得所述光感应层受近红外光照射后能够产生流向所述有源层的载流子。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在衬底基板上依次形成栅绝缘层和栅电极的步骤；

其中，所述栅绝缘层设置在所述光感应层与所述栅电极之间。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，

在衬底基板上形成不同层的源漏金属图形、有源层和光感应层的步骤，包括：

在形成栅绝缘层和栅电极的步骤前，在衬底基板上依次形成的源漏金属图形、有源层，之后使用薄膜晶体管的保护层的掩膜工艺，在衬底基板上形成光感应层，使得所述光感应层作为所述保护层。