[发明专利]一种颗粒硅籽晶及其制备方法在审
| 申请号： | 201710498274.1 | 申请日： | 2017-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107285319A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张建国;高志明;张宝顺;鲍守珍;蔡延国;宗冰;王体虎 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 吴啸寰 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 颗粒 籽晶 及其 制备 方法 | ||
1.一种颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，所述颗粒硅籽晶的制备方法包括，
熔融步骤：将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；
分散步骤：将所述熔融多晶硅分散为多晶硅液滴；
冷却步骤：将所述多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到所述颗粒硅籽晶。
2.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，用于所述分散步骤的所述熔融多晶硅的温度为1420℃至2300℃。
3.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，用于所述分散步骤的所述熔融多晶硅的温度为1420℃至2000℃。
4.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，用于所述分散步骤的所述熔融多晶硅的温度为1500℃至1800℃。
5.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，用于所述分散步骤的所述熔融多晶硅的温度为1550℃至1600℃。
6.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，所述分散步骤包括利用喷嘴喷射所述熔融多晶硅，使所述熔融多晶硅分散为所述多晶硅液滴。
7.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，所述分散步骤包括利用机械拍打的作用力将所述熔融多晶硅分散。
8.根据权利要求1或7所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，所述分散步骤包括利用气流对所述熔融多晶硅进行冲击，使所述熔融多晶硅分散。
9.根据权利要求1所述的颗粒硅籽晶的制备方法，其特征在于，所述分散步骤包括将所述熔融多晶硅进行初步分散，得到小股多晶硅液流或液滴；再利用高速气流冲击或/和机械拍打的方法对所述小股多晶硅液流或液滴进行进一步分散。
10.一种颗粒硅籽晶，其特征在于，所述颗粒硅籽晶通过用权利要求1至9中任一项所述的颗粒硅籽晶的制备方法制得。
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