[发明专利]一种高弯曲疲劳强度陶瓷封装外引线及制备方法

权利要求书

1.一种高弯曲疲劳强度陶瓷封装结构，其特征是包括外引线、耐腐蚀性涂层、导电性和焊接性功能涂层、金属化陶瓷底座，其中外引线焊接在金属化陶瓷底座上，耐腐蚀性涂层涂覆在外引线和金属化陶瓷底座表面，导电性和焊接性功能涂层涂覆在耐腐蚀性涂层表面。

2.一种高弯曲疲劳强度陶瓷封装外引线的制备方法，其特征是包括如下步骤：

a)选择导电性能良好、热膨胀系数(TEC)与陶瓷匹配、厚度为0.05mm～1.0mm的金属，如铜、铁、镍、铁-镍、铁-钴-镍金属或合金；

b)采用刻蚀、切割或者冲压的方式加工出符合要求的形状；

c)采用N₂，H₂或其混合气氛保护，最高300℃～1100℃的程序控温热处理去除材料表面缺陷并控制内部晶粒尺寸在1～80μm；

d)采用溅射或者镀覆工艺在表面沉积防护性和功能性金属或合金，如锌、铬、铜、镍、镍-钴、银、金，涂层厚度在1.3μm～8.9μm；

e)按照设计要求组装在一起，采用真空、N₂，H₂或其混合气氛保护条件下，温度在400℃～1100℃的特定程序控温炉内完成焊接；

f) 焊接后处理，在pH值为9～13的碱性溶液中处理1～10min、PH值为0～6的酸性溶液或特殊设备中处理1～10min以除引线表面的氧化层或污染物；

g) 功能性和防护性镀层沉积，在表面沉积的导电性、可焊性和耐蚀性等性能良好的金属或合金，如金、银、铜、镍、锌、铬，并控制镀层厚度在1.3～8.9μm内。

3.根据权利要求2所述的一种高弯曲疲劳强度陶瓷封装外引线的制备方法，其特征是焊接在真空、N₂、H₂或其混合气氛保护条件下，温度在400℃～1100℃的曲线的程序控温炉内完成。

4.根据权利要求2所述的一种高弯曲疲劳强度陶瓷封装外引线的制备方法，其特征是焊接后处理，在pH值为9～13的碱性溶液中处理1～10min，pH值为0～6的酸性溶液或表面处理设备中处理1～10min以除引线表面的氧化层或污染物。

5.根据权利要求2所述的一种高弯曲疲劳强度陶瓷封装外引线的制备方法，其特征是导电性、可焊性和耐蚀性能镀层沉积，在表面沉积的导电性、可焊性和耐蚀性性能良好的金属镍或其合金以及金层，并控制镀层厚度在1.3～8.9μm内。