[发明专利]复合母排及其制作方法

说明书

本发明公开了一种复合母排及其制作方法，特别是适用于承载大电流的导电件与复合母排焊接，解决现有技术中存在的主电路寄生电感大以及复合母排能承担的焊接功率小的技术问题。本发明提供的复合母排，包括导电层和绝缘层，通过在导电层上设置焊盘，使导电层与母线之间通过焊接实现电气连接，使其连接更可靠，能够降低主电路寄生电感，此外，还可缩小功率模块组件尺寸，有利于模块的集成化和轻量化；其中，焊盘上的槽口与母线上的焊接部形成间隙配合，使母线与焊盘插合方便，并且有利于焊接。

技术领域

本发明涉及一种复合母排及其制作方法，特别是适用于承载大电流的导电件与复合母排焊接。

背景技术

传统的功率模块中，绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT)模块或电容与复合母排之间的连接通常采用螺钉、螺栓组件进行紧固连接以实现电气连接，但其主要缺点在于主电路寄生电感大，占用空间大，不利于模块集成化、轻量化。在特定的场合，复合母排也与一些小功率器件焊接在一起(如吸收电容)，现有的解决方案是通过焊盘与周围铜导体件设计间隙，如图1中的A1(端子)、B1(端子)、A2(端子)和B2(端子)所示，为了防止焊接点处热量的快速散失，只通过直条形引脚将焊盘与铜排连接起来，来保证焊盘达到焊接熔点要求，并且避免热量传递导致复合母排绝缘失效。该种方式复合母排能承担的焊接功率小，焊接后每个端子工作电流仅能满足10A左右，一般适用于吸收电容、电阻等小功率器件焊接。

发明内容

本发明提供一种复合母排及其制作方法，用于解决现有技术中存在的主电路寄生电感大以及复合母排只能承担小功率焊接的技术问题。

本发明提供一种复合母排，包括导电层和绝缘层，所述导电层上设置有用于与母线的焊接部进行焊接的焊盘；

所述焊盘包括用于使所述焊接部插入的槽口，所述槽口沿所述导电层的厚度方向贯穿所述导电层，所述槽口的数量至少为一组。

在一个实施方式中，所述槽口与所述焊接部之间设置有焊接间隙。

在一个实施方式中，所述焊盘还包括与所述槽口同心设置的沉槽，所述沉槽的开槽方向与所述槽口的开槽方向相同，所述沉槽的深度为0.2-0.5mm。

在一个实施方式中，所述沉槽位于所述导电层上被所述焊接部伸出的端面上。

在一个实施方式中，所述导电层为两层或两层以上的层间结构，所述导电层至少包括第一电极层和第二电极层，所述绝缘层设置于所述第一电极层和所述第二电极层之间。

在一个实施方式中，所述第一电极层或所述第二电极层上设置有凹陷部，所述凹陷部的底面与所述第二电极层或所述第一电极层的底面位于同一水平面内，所述沉槽和所述槽口均位于所述凹陷部上。

在一个实施方式中，所述焊盘还包括与所述沉槽同心设置的连接部，所述连接部沿所述导电层的厚度方向凸起，所述槽口贯穿所述连接部。

在一个实施方式中，所述焊盘还包括折弯部，所述折弯部位于所述导电层的开口部处且沿所述导电层的厚度方向凸起，所述槽口贯穿所述折弯部。

在一个实施方式中，所述绝缘层由氮化铝、芳纶纸、聚酰亚胺薄膜、GPO-3、SMC、FR4或半固化片制成。

本发明还提供一种上述的复合母排的制造方法，包括以下步骤：

S10：对导体进行加工和粗化处理，获得所述导电层；

S20：对绝缘材料进行加工，获得所述绝缘层；

S30：对述导电层和所述绝缘层进行叠装和热压处理；获得复合构件；

S40：对所述复合母构件进行电镀处理，获得所述复合母排。

与现有技术相比，本发明的优点在于：