[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：

使用第一前体、第二前体和蚀刻前体将块体源极/漏极区域外延生长到衬底上，其中，所述蚀刻前体在外延生长所述块体源极/漏极区域时具有第一横向蚀刻速率；

清洁所述块体源极/漏极区域，其中，清洁所述块体源极/漏极区域通过引入与所述块体源极/漏极区域的材料反应的成形前体和所述蚀刻前体来改变所述块体源极/漏极区域的表面的晶体结构，其中，所述蚀刻前体在清洁所述块体源极/漏极区域时具有高于所述第一横向蚀刻速率的第二横向蚀刻速率；以及

在清理所述块体源极/漏极区域之后，在所述块体源极/漏极区域上外延生长完成区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，清洁所述块体源极/漏极区域包括将锗引入所述块体源极/漏极区域。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，通过将所述块体源极/漏极区域的表面暴露于GeH₄来执行所述锗的引入。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，外延生长所述完成区域的步骤比外延生长所述块体源极/漏极区域的时间短。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底包括第一鳍。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述衬底包括与所述第一鳍相邻且间隔距离不大于100nm的第二鳍。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻前体是盐酸。

8.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在第一步骤中将第一材料的第一层生长到衬底上，其中，生长所述第一层包括引入第一前体、第二前体和蚀刻剂，其中，蚀刻剂在所述第一步骤中具有第一横向蚀刻速率；

在所述第一步骤之后的第二步骤中，通过所述蚀刻剂和成形前体改变所述第一层的表面的晶体结构，其中，所述蚀刻剂在所述第二步骤中具有高于所述第一步骤的所述第一横向蚀刻速率的第二横向蚀刻速率；以及

在第三步骤中，在所述第一层上生长所述第一材料的第二层，其中，生长所述第一材料的所述第二层包括引入所述第一前体、所述第二前体和所述蚀刻剂。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一材料是硅磷，所述成形前体包括锗。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述蚀刻剂是盐酸。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，生长所述第一层包括引入二氯硅烷和PH₃，并且所述蚀刻剂是盐酸。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，至少部分地通过将所述第一层暴露于所述蚀刻剂和包含锗的成形前体来执行通过所述蚀刻剂和所述成形前体改变所述第一层的表面的晶体结构。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，利用第一组工艺条件来执行生长所述第一层，并且利用所述第一组工艺条件但是不同的时间来执行生长所述第二层。

14.一种半导体器件，包括：

沟道区域，位于半导体材料内；以及

源极/漏极区域，与所述沟道区域相邻，其中，所述源极/漏极区域具有在0.05和10之间的高宽比，并且包括：

块体部分，具有第一掺杂剂的第一浓度；

界面区域，具有小于所述第一浓度的所述第一掺杂剂的第二浓度；和

清洁区域，具有大于所述第二浓度的所述第一掺杂剂的第三浓度。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一掺杂剂是磷。

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述清洁区域包括不存在于所述块体部分中的成形掺杂剂。