[发明专利]阵列基板的制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成有机层；在所述有机层上形成第一导体层；在所述第一导体层上沉积光刻胶；以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模刻蚀所述有机层。本发明提供的阵列基板的制备方法，以光刻胶和导体层制成的硬掩模层为双重掩模进行刻蚀，降低了刻蚀难度，减少了对光刻胶的依赖，降低了工艺复杂性。

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法。

背景技术

在现有的阵列基板的制备工艺中，需要对多个膜层进行刻蚀。图1示出根据现有技术的制备方法制备的阵列基板的结构示意图。如图1所示，需要同时蚀刻栅绝缘层2、第一钝化层3和第二钝化层10这三层膜层，由于这三层膜层的厚度较厚，刻蚀难度较大，需要较厚的光刻胶层作为掩模，这对于曝光显影以及刻蚀工艺都会是很大的挑战，不但对光刻胶的依赖性高，还会出现曝光不彻底导致光刻胶残留，刻蚀时间长光刻胶易碳化形成侧墙等问题，导致工艺不良。而且现有技术中采用同时蚀刻栅绝缘层、第一钝化层和第二钝化层的方法，需要首先对其中的树脂层6进行曝光显影工艺，在树脂层6中形成开口9，以使得第一钝化层3与第二钝化层10接触。这需要一道掩模以形成开口9，增加了工艺的复杂度。

发明内容

鉴于现有技术中的上述问题，本发明的目的在于提供一种阵列基板的制备方法，能够降低刻蚀难度，减少刻蚀对光刻胶的高依赖性，降低工艺复杂度。

本发明的实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：提供基板；在所述基板上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成有机层；在所述有机层上形成第一导体层；在所述第一导体层上沉积光刻胶；以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模刻蚀所述有机层。

所述阵列基板的制备方法还包括以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模刻蚀所述有机层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层。

其中，以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模刻蚀所述有机层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层包括：采用半色调掩模工艺，通过湿法刻蚀将所述第一导体层制成硬掩模层，以所述光刻胶和所述硬掩模层作为双重掩模刻蚀所述有机层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层。

所述阵列基板的制备方法还包括在所述基板上形成栅绝缘层之前，在所述基板上形成栅极层，在所述栅极层之上形成所述栅绝缘层，然后在所述栅绝缘层上形成源漏层，在所述源漏层上形成所述第一钝化层。

所述的阵列基板制备方法还包括在形成所述栅绝缘层之前，在所述基板上形成源漏层，然后再形成栅绝缘层，之后在所述栅绝缘层上形成栅极层，在所述栅极层上形成第一钝化层。

其中，所述栅极层和所述源漏层包括金属钼。

其中，所述有机层包括树脂。

其中，所述第一导体层包括氧化铟锡，用作公共电极。

所述阵列基板的制备方法还包括去除所述光刻胶层，在所述硬掩模层上形成第二钝化层，在所述第二钝化层上形成第二导体层。

所述阵列基板的制备方法还包括在去除所述光刻胶层之前灰化所述光刻胶层。

其中，所述第二导体层包括氧化铟锡，用作像素电极。

本发明提供的阵列基板的制备方法，以光刻胶和导体层制成的硬掩模层为双重掩模对栅绝缘层和钝化层进行刻蚀，降低了刻蚀难度，减少了对光刻胶的依赖，降低了工艺复杂性。

附图说明

图1示出根据现有技术中的制备方法制备阵列基板的结构示意图。

图2至图4示出根据本发明实施例一的制备阵列基板的工艺流程图。