[发明专利]阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成有机层；

在所述有机层上形成第一导体层；

在所述第一导体层上沉积光刻胶；

以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模对所述有机层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层进行一次刻蚀。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其中以所述光刻胶和所述第一导体层为双重掩模对所述有机层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层进行一次刻蚀包括：采用半色调掩模工艺，通过湿法刻蚀将所述第一导体层制成硬掩模层，以所述光刻胶和所述硬掩模层作为双重掩模刻蚀所述有机层、所述第一钝化层和所述栅绝缘层。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，还包括在所述基板上形成栅绝缘层之前，在所述基板上形成栅极层，在所述栅极层之上形成所述栅绝缘层，然后在所述栅绝缘层上形成源漏层，在所述源漏层上形成所述第一钝化层。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，还包括在形成所述栅绝缘层之前，在所述基板上形成源漏层，然后再形成栅绝缘层，之后在所述栅绝缘层上形成栅极层，在所述栅极层上形成所述第一钝化层。

5.如权利要求3或4所述的阵列基板的制备方法，其中所述栅极层和所述源漏层包括金属钼。

6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其中所述第一导体层包括氧化铟锡，用作公共电极。

7.如权利要求2所述的阵列基板的制备方法，所述阵列基板的制备方法还包括：去除所述光刻胶层，在所述硬掩模层上形成第二钝化层，在所述第二钝化层上形成第二导体层。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，还包括：在去除所述光刻胶层之前灰化所述光刻胶层。

9.如权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其中所述第二导体层包括氧化铟锡，用作像素电极。