[发明专利]安装部件和光耦合器

权利要求书

1.一种光耦合器，包括：

安装部件，所述安装部件包括：

绝缘基板，其具有矩形的第一表面、位于所述第一表面的相反侧的第二表面、第一侧面、位于所述第一侧面的相反侧的第二侧面、第三侧面和位于所述第三侧面的相反侧的第四侧面，并且设置有从所述第一表面到所述第二表面的通孔；

第一晶片垫单元，其设置在所述第一表面上；

第一端子，其具有覆盖所述第一侧面、所述第一表面和所述第二表面的导电区域；

第二端子，其具有导电区域，所述导电区域覆盖所述第二侧面和所述第二表面，经由设置在所述通孔中或者所述通孔的侧壁上的导电材料与第二晶片垫单元相连，并且与所述第一端子绝缘；

第二晶片垫单元，其在所述第二端子和所述第一晶片垫单元之间设置在所述第一表面上；

从上面看时，所述第一晶片垫单元、所述第二晶片垫单元、所述第一端子和所述第二端子在所述绝缘基板的第一表面上彼此分开；

MOSFET，其结合到所述第二晶片垫单元上；

光接收元件，其结合到所述第一晶片垫单元上，所述光接收元件的上表面是光接收面；

光发射元件，其构造成向所述光接收面发射光；

结合层，其具有透光性和绝缘性，并且将所述光发射元件结合到所述光接收元件的上表面上；以及

密封树脂层，其覆盖所述光接收元件、所述光发射元件、所述MOSFET以及所述绝缘基板的第一表面。

2.根据权利要求1所述的光耦合器，其中，

所述MOSFET包括结合到所述第二晶片垫单元的第一区域上的第一MOSFET和结合到所述第二晶片垫单元的与所述第一区域分开的第二区域上的第二MOSFET，并且

所述第一MOSFET和所述第二MOSFET以共源极连接的方式相连。

3.根据权利要求1所述的光耦合器，其中，所述密封树脂层还覆盖所述第三侧面和所述第四侧面。

4.一种光耦合器，包括：

安装部件，所述安装部件包括：

绝缘基板，其具有矩形的第一表面、位于所述第一表面的相反侧的第二表面、第一侧面、位于所述第一侧面的相反侧的第二侧面、第三侧面和位于所述第三侧面的相反侧的第四侧面，并且所述绝缘基板中设置有从所述第一表面延伸到所述第二表面的通孔；

第一端子，其具有覆盖所述第一侧面、所述第一表面和所述第二表面的导电区域；

第二端子，其具有覆盖所述第二侧面、所述第一表面和所述第二表面并且与所述第一端子绝缘的导电区域；

所述第一端子和所述第二端子均包括第一导电区域和第二导电区域，所述第一导电区域具有含有Au或Ag的表面层，所述第二导电区域具有含有Cu、Ni、Pd中的一种的表面层；

所述第一端子和所述第二端子彼此绝缘；

晶片垫单元，其设置在所述第一表面的位于所述第一端子和所述第二端子之间的区域上；

从上面看时，所述第一端子、所述第二端子和所述晶片垫单元在所述绝缘基板的第一表面上彼此分开；

光接收元件，其结合到所述晶片垫单元上，所述光接收元件的上表面是光接收面；

光发射元件，其构造成向所述光接收面发射光；

结合层，其具有透光性和绝缘性，并且将所述光发射元件结合到所述光接收元件的上表面上；

MOSFET，其结合到所述第二端子上；以及

密封树脂层，其覆盖所述光接收元件、所述光发射元件、所述MOSFET、所述绝缘基板的第一表面以及所述第二端子的第二导电区域。

5.根据权利要求4所述的光耦合器，其中，

所述MOSFET包括结合到所述第二端子的第一区域上的第一MOSFET和结合到所述第二端子的与所述第一区域分开的第二区域上的第二MOSFET，并且

所述第一MOSFET和所述第二MOSFET以共源极连接的方式相连。

6.根据权利要求4所述的光耦合器，其中，所述密封树脂层还覆盖所述第三侧面和所述第四侧面。