[发明专利]显示系统及其制造方法

说明书

一种显示系统以及包括具有低电容跨越区结构的汇流线的相关方法被提出。代表性的显示系统包括：第一结构，其包含多条扫描线以及数据线。扫描线沿着第一方向延伸。数据线沿着第二方向延伸并且各别在跨越区跨越扫描线。每个数据线具有一成对侧壁。成对侧壁在每个跨越区彼此分隔。每个侧壁具有的高度高于数据线未位于跨越区的高度。

技术领域

本发明有关于显示面板的信号线。

背景技术

显示器，如液晶显示器(liquid crystal displays,LCDs)，广泛地用于电子元件中，诸如笔记型电脑、智慧型手机、数码相机、广告型显示器以及高清电视。此外，电致发光显示器如有机发光二极管(organic light-emitting diodes,OLEDs)亦越发受到注意。

液晶显示器面板，举例而言，可如Wu等人所提出的美国专利号第6,956,631号中所揭露般配置，该专利已让与友达光电股份有限公司(AU Optronics Corp.)，即本案申请人的母公司，并将该专利的总体并于此处作为参考。如Wu等人在图1中所揭露，液晶显示器面板可包含顶部偏光片、下方偏光片、液晶单元(liquid crystal cell)以及背光。从背光发出的光线穿过下方偏光片、穿过液晶胞然后穿过顶部偏光片。如Wu等人在图1中所进一步揭露，液晶单元可包含下方玻璃基材以及包含彩色滤光片的上方基材。可于玻璃基材上以阵列形成多个包含薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)的像素，并可于玻璃基材与彩色滤光片间的空隔填充液晶化合物以形成一层液晶材料。

然而，显示器中薄膜晶体管的结构可有多种变化。举例而言，薄膜晶体管、栅极线、数据线以及像素电极可形成于多层结构中，如Lai等人所提出的美国专利号第7,170,092号中的图1与图2E所示，及其分案美国专利号第7,507,612号中所示，两者皆已让与友达光电股份有限公司，即本案申请人的母公司，且两者的总体皆并于此处中作为参考。多层结构可包含第一导电层、第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及依序设置于基材上的第二导电层。可进一步包含第二绝缘层以及设置于第二绝缘层上的像素电极。第一导电层可包含至少一条栅极线或栅极电极。掺杂半导体层可包含源极与漏极。第二导电层可包含源极电极与漏极电极。多层结构可藉由使用一连串的湿式与干式蚀刻制程形成，举例而言，如Lai等人的图2A-2D中所揭露。

Chen所提出的美国专利号第7,652,285号(后称Chen 285’)中揭露用以形成薄膜晶体管的其他技术，该专利已让与友达光电股份有限公司，即本案申请人的母公司，并将该专利总体并于此处作为参考。如Chen所揭露，为形成薄膜晶体管的通道，蚀刻第二金属层以打开一部分位于栅极电极上方的第二金属层并将源极区与漏极区分开。可由多种方式执行此蚀刻，包含如Chen 285’的举例图式图2A-2E中所揭露的背侧通道蚀刻制程(back-channel etching process)，以及Chen 285’的举例图式图5A-5D与图6中所揭露的蚀刻停止制程(etch stop process)。如Chen 285’所揭露，可藉由加入一间隔层来降低薄膜晶体管的逸漏电流，该间隔层形成于导电的掺杂非晶硅层的侧壁处，将导电的非晶硅层与绝缘层隔开。如Chen所揭露，在执行第二金属层的蚀刻后，此间隔层可藉氧化导电的非晶硅层的曝露表面形成。如Chen 285’所揭露，可藉由多种不同技术氧化此表面，包含氧等离子体灰化(oxygen plasma ashing)，或于四氟化碳(carbon tetrafluoride)和六氟化硫气体(sulfur hexafluoride gases)的存在下使用臭氧等离子体。