[发明专利]标准胞元布局及设置多个标准胞元的方法

权利要求书

1.一种集成电路产品，其包含：

多个标准胞元，该多个标准胞元的各标准胞元与该多个标准胞元的至少一个其它标准胞元毗连；

跨该多个标准胞元连续延展的连续主动区；以及

通过中间扩散间断来分开的至少两个主动区，其中，各标准胞元包含至少一个PMOS装置及至少一个NMOS装置，该至少一个PMOS装置设于该连续主动区中及上面，并且该至少一个NMOS装置设于该至少两个主动区中及上面。

2.如权利要求1所述的产品，其中，该连续主动区包含硅锗。

3.如权利要求1所述的产品，其中，该中间扩散间断是沟槽隔离。

4.如权利要求1所述的产品，其中，该连续主动区通过沟槽隔离与该至少两个主动区分开。

5.如权利要求1所述的产品，其中，该多个标准胞元的至少一个标准胞元实施反相器。

6.如权利要求1所述的产品，其中，该连续主动区具有至少约50nm的长度。

7.如权利要求1所述的产品，其更包含设于相邻PMOS装置之间的该连续主动区上方的浮动栅极。

8.如权利要求7所述的产品，其中，该浮动栅极沿着介于两个邻接标准胞元之间的接口延展。

9.如权利要求7所述的产品，其中，该浮动栅极电连接至相邻PMOS装置的源极接触与漏极接触其中一者。

10.如权利要求1所述的产品，其更包含设于该两个主动区其中一者上方的浮动栅极，该浮动栅极沿着介于该两个主动区其中一者与该扩散间断之间的接口延展。

11.一种制作集成电路产品的方法，其包含：

在毗连配置中置放至少两个标准胞元，该至少两个标准胞元各具有至少两个主动区，其中，该至少两个标准胞元的各标准胞元具有至少一个PMOS装置及至少一个NMOS装置；

形成跨该至少两个标准胞元连续延展的连续主动区；以及

在该至少两个毗连标准胞元中形成通过中间扩散间断来分开的至少两个主动区，其中，该至少一个PMOS装置设于该连续主动区中及上面，并且该至少一个NMOS装置设于该至少两个主动区中及上面。

12.如权利要求11所述的方法，其中，该连续主动区包含硅锗。

13.如权利要求11所述的方法，其中，该中间扩散间断包含浅沟槽隔离。

14.如权利要求11所述的方法，其更包含形成将该连续主动区与该至少两个主动区分开的浅沟槽隔离。

15.如权利要求11所述的方法，其中，该至少两个标准胞元的至少一个标准胞元实施反相器。

16.如权利要求11所述的方法，其更包含在相邻PMOS装置之间的该连续主动区上方形成浮动栅极。

17.如权利要求16所述的方法，其中，该浮动栅极沿着介于两个邻接标准胞元之间的接口延展。

18.如权利要求16所述的方法，其中，形成该浮动栅极包含形成跨该连续主动区、及该至少两个主动区其中一者延展的多晶栅极线，以浮动栅极材料堆栈取代该多晶栅极线的一部分，该部分跨该连续主动区延展，以及使该部分与形成该浮动栅极的该剩余的多晶栅极线分开，其中，形成跨该至少两个主动区其中一者延展的多晶栅极。

19.如权利要求11所述的方法，其更包含在该两个主动区其中一者上方形成浮动栅极，该浮动栅极沿着介于该两个主动区其中一者与该扩散间断之间的接口延展。

20.如权利要求19所述的方法，其中，形成该浮动栅极包含形成跨该连续主动区、并沿着介于该两个主动区其中一者与该扩散间断之间的接口延展的多晶栅极线，通过浮动栅极材料堆栈取代该至少两个主动区其中一者上方该多晶栅极线的一部分，以及经由形成该浮动栅极的切口使该部分与该剩余的多晶栅极线分开，其中，形成跨该连续主动区延展的多晶栅极。