[发明专利]氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法有效
| 申请号： | 201710427638.7 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107507774B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 中西敏雄;片山大介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 处理 方法 以及 形成 | ||
1.一种氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括：
第一工序，在基板上通过微波等离子体化学气相沉积形成氮化硅膜；以及
第二工序，对所述氮化硅膜照射微波氢等离子体，在不破坏Si-N键的情况下，利用所述微波氢等离子体中的原子氢将氢以H2的形式从所述氮化硅膜的表面部分的Si-H键中去除来使该表面部分改质为氢含有量少的状态，
其中，所述微波氢等离子体通过利用微波对氢气进行激励或者对氢气和非活性气体进行激励来生成，其离子能量小于所述氮化硅膜的Si-N键能量。
2.根据权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
照射所述微波氢等离子体时的处理温度为200℃～500℃。
3.根据权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
照射所述微波氢等离子体时的处理压力为10Pa～100Pa。
4.根据权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
所述氮化硅膜的表面部分的改质部分的深度为10nm以上。
5.根据权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
利用RLSA(注册商标)微波等离子体处理装置进行所述微波氢等离子体的照射。
6.根据权利要求1所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
在同一微波等离子体处理装置内连续地进行所述第一工序和所述第二工序。
7.根据权利要求6所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
所述微波等离子体处理装置是RLSA(注册商标)微波等离子体处理装置。
8.根据权利要求6或7所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
所述第一工序和所述第二工序在相同的处理温度下进行。
9.根据权利要求1、6和7中的任一项所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
所述第一工序的处理温度为200℃～500℃。
10.根据权利要求1、6和7中的任一项所述的氮化硅膜的形成方法，其特征在于，
所述第一工序的处理压力为10Pa～100Pa。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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