[发明专利]一种光电探测器件及其制备方法、触控基板及显示面板

说明书

本申请提供一种光电探测器件，包括：基板；多晶硅层，形成于所述基板上，多晶硅层中形成有第一掺杂区和第二掺杂区；透明的导电膜，至少覆盖所述多晶硅层上所述第一掺杂区处；金属电极，布置于所述多晶硅层上所述第二掺杂区处，其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件。本申请同时提供了光电探测器件的制备方法、一种触控基板和一种显示面板。本申请实现了光电探测器件的高光电转换效率，且识别能力强。

技术领域

本发明涉及光电探测领域，特别涉及一种光电探测器件及其制备方法、触控基板以及显示面板。

背景技术

光电探测器件是一种将光辐射能转换为电能的器件。现有技术中，光电探测器件在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等；在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。

现有技术中常用的光电探测器件有光敏电阻、光电二极管、光电倍增管等。对于光电探测器件，在提高光电转换效率方面一直存在要求。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是，提供一种光电转换效率高的光电探测器件及其制备方法，具有该光电探测器件的触控基板，以及具有该触控基板的显示面板。

本发明提供的一种光电探测器件包括：基板；多晶硅层，形成于所述基板上，所述多晶硅层中形成有第一掺杂区和第二掺杂区；

透明的导电膜，至少覆盖所述多晶硅层上所述第一掺杂区处；金属电极，布置于所述多晶硅层上所述第二掺杂区处，其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件。

作为优选，所述金属电极与透明导电膜形成为叉指电极。

作为优选，所述导电膜还覆盖所述多晶硅层上第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域。

作为优选，所述多晶硅层上除所述第二掺杂区之外的区域还布置有减反膜层。

本发明提供的一种触控基板包括：上述的光电探测器件；以及多晶硅TFT器件，其源极/漏极金属连接至所述金属电极，所述多晶硅TFT器件配置为能够读取PIN器件传输的光电探测信号。

本发明提供的一种显示面板包括上述的触控基板。

本发明提供的一种光电探测器件的制备方法包括：制备基板；在基板上形成多晶硅层；在所述多晶硅层的第一区域形成第一掺杂区，在所述多晶硅层的第二区域形成第二掺杂区；在所述多晶硅层上至少第一掺杂区处形成透明的导电膜；在所述多晶硅层上第二掺杂区处形成金属电极，其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件。

作为优选，在基板上布置多晶硅层包括：在所述基板上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行准分子激光退火形成所述多晶硅层。

作为优选，形成第一掺杂区和第二掺杂区包括：制备第一掩膜和第二掩膜，所述第一掩膜和第二掩膜各包括基部和分别从基部延伸预定长度的多个相互平行的齿部；使用第一掩模在所述第一区域内注入第一离子以形成所述第一掺杂区；使用第二掩模在所述第二区域内注入第二离子以形成所述第二掺杂区。

作为优选，上述方法还包括：在所述多晶硅层上除所述第二掺杂区之外的区域形成减反膜层。

本发明技术方案的有益效果至少在于，光电探测器件通过设置具有第一掺杂区和第二掺杂区的多晶硅层形成PIN光电二极管，显著提高了光电探测器件的光电转换效率。

附图说明

图1为本发明的实施例中的光电探测器件的截面结构示意图。

图2为图1所示的光电探测器件中第一掺杂区和第二掺杂区的俯视示意图。

图3为本发明的光电探测器件的制备方法中在基板上形成反射金属层的工序示意图。