[发明专利]一种光电探测器件及其制备方法、触控基板及显示面板

权利要求书

1.一种光电探测器件，其特征在于，包括：

基板；

多晶硅层，形成于所述基板上，所述多晶硅层中形成有第一掺杂区和第二掺杂区；

透明的导电膜，至少覆盖所述多晶硅层上所述第一掺杂区处；

金属电极，布置于所述多晶硅层上所述第二掺杂区处，

其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件；

所述金属电极与透明导电膜形成为叉指电极。

2.根据权利要求1所述的光电探测器件，其特征在于，所述导电膜还覆盖所述多晶硅层上第一掺杂区和第二掺杂区之间的区域。

3.根据权利要求1所述的光电探测器件，其特征在于，所述多晶硅层上除所述第二掺杂区之外的区域还布置有减反膜层。

4.一种触控基板，其特征在于，包括：

根据权利要求1-3中任一项所述的光电探测器件；以及

TFT器件，其源极/漏极金属连接至所述金属电极，所述TFT器件配置为读取PIN器件输出的光电探测信号。

5.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求4所述的触控基板。

6.一种光电探测器件的制备方法，包括：

制备基板；

在基板上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层的第一区域形成第一掺杂区，在所述多晶硅层的第二区域形成第二掺杂区；

在所述多晶硅层上至少第一掺杂区处形成透明的导电膜；

在所述多晶硅层上第二掺杂区处形成金属电极，

其中，所述导电膜、金属电极和所述多晶硅层构成PIN器件；

所述金属电极与透明导电膜形成为叉指电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在基板上布置多晶硅层包括：

在所述基板上形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行准分子激光退火形成所述多晶硅层。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，形成第一掺杂区和第二掺杂区包括：

制备第一掩膜和第二掩膜，使所述第一掩膜和第二掩膜各包括基部和分别从基部延伸预定长度的多个相互平行的齿部；

使用第一掩模在所述第一区域内注入第一离子以形成所述第一掺杂区；

使用第二掩模在所述第二区域内注入第二离子以形成所述第二掺杂区。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述多晶硅层上除所述第二掺杂区之外的区域形成减反膜层。