[发明专利]芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法

说明书

本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本；共晶封装工艺解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法。

背景技术

深紫外LED主要是应用于杀菌消毒、光固化、医疗卫生、生化探测及保密通信等领域。目前传统紫外汞灯仍然占据紫外光源市场主导地位，相比之下，深紫外LED具有小巧便携、低电压、低功耗、易于集成、环保友好等许多优势，近年来技术发展和市场成长都非常迅速，成为LED领域的一个高附加值增长点。

目前深紫外LED的核心技术壁垒在于其外延材料和芯片制备方面，深紫外LED波长越短，技术难度越大，但同时产业附加值也越高。目前世界上也仅有美国、日本、中国等少数国家掌握了深紫外LED的核心材料和器件制备技术。深紫外LED封装工艺是指将深紫外LED芯片使用某种方式粘贴到基板、管壳或支架上，然后通过金丝球焊工艺将芯片上的电极连接到基板、管壳或者支架上以实现电驱动，最后再使用透明封装材料加以密封或覆盖。由于封装步骤较多，所耗费的材料较多，且单个芯片单独封装导致生产效率较低，因此深紫外LED封装正在向集成化、小型化发展。目前出现的芯片尺寸级封装、尤其是晶圆级芯片尺寸封装由于可一次批量封装多颗芯片正在引起大家的广泛关注。但这些封装都是针对蓝光和红光LED芯片的封装方式，对深紫外LED封装，需要特殊的工艺和特殊的材料。

发明内容

(一)要解决的技术问题

鉴于上述技术问题，本发明提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法。本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，降低了封装成本，为深紫外LED的大批量产业化应用奠定了良好的基础。本发明的共晶封装工艺，很好的解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命，延缓了衰减。

(二)技术方案

根据本发明的一个方面，提供了一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；在所述深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，完成封装。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法至少具有以下有益效果其中之一：

(1)本发明可以大大降低芯片封装尺寸，对芯片与外部连接节约空间，节约了封装体积、封装材料，从而降低了深紫外发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型深紫外发光二极管的封装应用；

(2)本发明将芯片尺寸工艺用在深紫外LED封装上，提高了封装效率，为深紫外LED的大批量产业化应用奠定了良好的基础；

(3)本发明利用共晶封装工艺，很好的解决了深紫外LED芯片的散热问题，提高了深紫外LED的寿命，延缓了衰减。

附图说明

图1为本发明实施例芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法的流程示意图。