[发明专利]芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法有效
| 申请号： | 201710399111.8 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107256911B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 谢海忠;闫建昌;魏学成;魏同波;宋昌斌;张韵;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 尺寸 深紫 发光二极管 封装 方法 | ||
1.一种芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，包括以下步骤：
在衬底上依次生长AlN模板层、n-AlGaN层、AlGaN基量子阱结构、p-AlGaN层、p-GaN层；所述AlN模板层的厚度为0.5-2um、所述n-AlGaN层的厚度为1.5-3.5um、所述AlGaN基量子阱结构为3-5对、所述p-AlGaN层的厚度为40-60nm、所述p-GaN层的厚度为150-300nm；
将P、N电极分开的深紫外芯片固定在石英透镜上；
使用模具固定带有深紫外芯片的石英透镜，使得模具开口处与深紫外芯片表面平齐；
在所述深紫外芯片侧面填充液体胶，使得液体胶的上表面与所述深紫外芯片的P、N电极平齐，并固化液体胶；
将第一AuSn片固定在所述深紫外芯片P、N电极上方并且覆盖在液体胶上表面，并预留P、N电极的隔离道；
将第二AuSn片固定在基板上，所述第二AuSn片与所述第一AuSn片上下对齐；
将所述第一AuSn片和所述第二AuSn片共晶融合，共晶融合的温度为260-400度之间，完成封装；其中，所述第一AuSn片和所述第二AuSn片中Au和Sn的比例为20:80，其厚度为2-20微米。
2.根据权利要求1所述的芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，其中，所述衬底的材料为蓝宝石或者AlN衬底。
3.根据权利要求1所述的芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，其中，所述石英透镜的形状为半球型或者子弹头型。
4.根据权利要求1所述的芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，其中，所述液体胶为透深紫外的胶。
5.根据权利要求1或4所述的芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，其中，对所述液体胶进行固化时，在烘箱内进行，烘箱的温度控制在100-200度之间。
6.根据权利要求1所述的芯片尺寸级深紫外发光二极管共晶封装方法，其中，在所述将第二AuSn片固定在基板上的步骤之前，包括以下步骤：在基板上制作通孔，用导电物质填充所述通孔，并在所述基板上制作隔离电极；
其中，所述隔离电极与所述第二AuSn片分别位于基板的两侧。
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