[发明专利]元件芯片的制造方法

权利要求书

1.一种元件芯片的制造方法，包括：

准备工序，准备基板，所述基板具备具有露出的凸块的第1面以及所述第1面的相反一侧的第2面，并且具备由分割区域划分的多个元件区域；

凸块埋入工序，将至少所述凸块的头顶部埋入到粘合层；

掩模形成工序，在所述第2面形成被覆所述元件区域并且使所述分割区域露出的掩模；

保持工序，使所述第1面与由框架支承的保持带对置，来使所述基板保持于所述保持带；

载置工序，在所述掩模形成工序以及所述保持工序之后，将所述基板隔着所述保持带载置到设置在等离子体处理装置内的载置台；

单片化工序，在所述载置工序之后，对所述分割区域从所述第2面到所述第1面进行等离子体蚀刻，从所述基板形成多个元件芯片；和

凸块露出工序，在所述单片化工序之后，剥离所述粘合层，使所述凸块重新露出，

在所述凸块埋入工序中，形成由相邻的两个所述凸块、所述粘合层和所述第1面包围的空隙。

2.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述凸块埋入工序通过将具备所述粘合层的保护带粘合于所述第1面来进行，

在所述保持工序中，使所述第1面隔着所述保护带与所述保持带对置，来使所述基板保持于所述保持带。

3.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述保持带具备所述粘合层，

通过将至少所述凸块的所述头顶部埋入到所述保持带的所述粘合层，从而与所述凸块埋入工序一起进行所述保持工序。

4.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述粘合层的厚度大于所述凸块的高度。

5.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述基板具备半导体层和电路层，所述电路层层叠于所述半导体层的所述第1面侧，并且具备所述凸块，

在所述准备工序中，准备在所述分割区域露出了所述半导体层的所述基板。