[发明专利]OLED基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种OLED基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)相比现在的主流显示技术薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transisitor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)，具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积更轻薄等优点，是目前平板显示技术关注的焦点。有机发光显示器的驱动方法分为被动矩阵式(PM,Passive Matrix)和主动矩阵式(AM，Active Matrix)两种。而相比被动矩阵式驱动，主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。

如图1所示，一般而言主动矩阵式有机发光显示器件的驱动电路包括，开关晶体管、驱动晶体管和有机发光器件(OLED)。开关晶体管的栅极连接扫描线，其漏极(或源极)连接数据线5，其源极(或漏极)连接驱动晶体管的栅极。驱动晶体管的源极(或漏极)连接电源线，其漏极(或源极)连接OLED的阳极，OLED的阴极接地，在驱动晶体管的源极(或漏极)与栅极之间连接有存储电容。其中，为了提高开关速率，通常需要采用较高电子迁移率的开关晶体管的；为了更好的实现OLED显示不同的灰阶，在要求驱动晶体管的电子迁移率要低一些。而在现有工艺中，开关晶体管和驱动晶体管制成相同性能参数的薄膜晶体管，因此不利于有效的开启和闭合开关薄膜晶体管及灰阶的控制。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种开关性能好的OLED基板及其制备方法、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板，包括：基底，设置在所述基底上的开关晶体管和驱动晶体管，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。

优选的是，所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于50cm²/VS；

所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率为1～10cm²/VS。

优选的是，所述开关晶体管的有源层的材料包括：ZnO、ZnON、IGZXO、ITZO中的任意一种；

所述驱动晶体管的有源层的材料包括IGZO或IGZTO。

优选的是，所述开关晶体管的有源层包括依次设置在所述上方的两层结构，其中，所述有源层的第一层结构与所述驱动晶体管的有源层同层设置且材料相同。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板的制备方法，包括：通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层的图形的步骤；其中，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。

优选的是，所述通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层的图形的步骤，具体包括：

在基底上，形成第一半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述驱动晶体管的有源层的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成第二半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述开关晶体管的有源层的图形；

或者，

在基底上，形成第二半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述开关晶体管的有源层的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成第一半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述驱动晶体管的有源层的图形。

优选的是，所述通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层的步骤，具体包括：

在基底上依次沉积第一半导体材料层和第二半导体材料层，并在所述第二半导体材料层上方涂覆光刻胶层；

对所述光刻胶层进行不同精度的曝光、显影，形成光刻胶保留区、光刻胶半保留区、光刻胶完全去除区；其中，所述光刻胶保留区与待形成的所述开关晶体管的有源层的位置对应，所述光刻胶半保留区与待形成的所述驱动晶体管的有源层的位置对应；

去除位于所述光刻胶完全去除区的光刻胶，以及位于所述光刻胶半保留区的部分光刻胶，以使所述光刻胶半保留区剩余光刻胶的厚度为第一厚度；

依次去除与所述光刻胶完全去除区对应的第二半导体材料层和第一半导体材料层；

去除第一厚度的光刻胶；