[发明专利]OLED基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种OLED基板，包括：基底，设置在所述基底上的开关晶体管和驱动晶体管，其特征在于，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。

2.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于50cm²/VS；

所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率为1～10cm²/VS。

3.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述开关晶体管的有源层的材料包括：ZnO、ZnON、IGZXO、ITZO中的任意一种；

所述驱动晶体管的有源层的材料包括IGZO或IGZTO。

4.根据权利要求1所述的OLED基板，其特征在于，所述开关晶体管的有源层包括依次设置在所述上方的两层结构，其中，所述有源层的第一层结构与所述驱动晶体管的有源层同层设置且材料相同。

5.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层图形的步骤；其中，所述开关晶体管和所述驱动晶体管的有源层的材料不同，且所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率。

6.根据权利要求5所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层的图形的步骤，具体包括：

在基底上，形成第一半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述驱动晶体管的有源层的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成第二半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述开关晶体管的有源层的图形；

或者，

在基底上，形成第二半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述开关晶体管的有源层的图形；

在完成上述步骤的基底上，形成第一半导体材料层，并通过构图工艺形成包括所述驱动晶体管的有源层的图形。

7.根据权利要求5所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺，在基底上形成包括开关晶体管的有源层和驱动晶体管的有源层的步骤，具体包括：

在基底上依次沉积第一半导体材料层和第二半导体材料层，并在所述第二半导体材料层上方涂覆光刻胶层；

对所述光刻胶层进行不同精度的曝光、显影，形成光刻胶保留区、光刻胶半保留区、光刻胶完全去除区；其中，所述光刻胶保留区与待形成的所述开关晶体管的有源层的位置对应，所述光刻胶半保留区与待形成的所述驱动晶体管的有源层的位置对应；

去除位于所述光刻胶完全去除区的光刻胶，以及位于所述光刻胶半保留区的部分光刻胶，以使所述光刻胶半保留区剩余光刻胶的厚度为第一厚度；

依次去除与所述光刻胶完全去除区对应的第二半导体材料层和第一半导体材料层；

去除第一厚度的光刻胶；

去除与所述光刻胶半保留区对应的第二半导体材料层，以形成所述驱动晶体管的有源层；

去除剩余的光刻胶，以形成所述开关晶体管的有源层。

8.根据权利要求5所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述开关晶体管的有源层的电子迁移率大于50cm²/VS；

所述驱动晶体管的有源层的电子迁移率为1～10cm²/VS。

9.根据权利要求5所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述开关晶体管的有源层的材料包括：ZnO、ZnON、IGZXO、ITZO中的任意一种；

所述驱动晶体管的有源层的材料包括IGZO或IGZTO。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的OLED基板。