[发明专利]偏压电源瞬态保护电路

说明书

技术领域

本发明涉及电源驱动电路技术领域，具体涉及到偏压电源瞬态保护电路。

背景技术

真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。

需要镀膜的被称为基片，镀的材料被称为靶材。基片与靶材同在真空腔中。

蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面，通过成膜过程(散点－岛状结构-迷走结构-层状生长)形成薄膜。对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且最终沉积在基片表面，经历成膜过程，最终形成薄膜。

偏压电源(Bias power supply)是真空电弧离子镀及其它真空物理气相沉积设备中一个重要组件，在镀膜工艺流程中为工件提供负(或正)偏压。

偏压电源是真空镀膜中有着重要的作用，关系到镀膜的附着力，光洁度，色差等参数，特别是大功率电源在抑制打火的现象尤为重要，即要保证正常使用，又不能出现打火。

发明内容

针对现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种结构合理，使用方便的偏压电源瞬态保护电路，它解决了上述的这些问题。

采用以下的技术方案：

偏压电源瞬态保护电路，包括PWM驱动器，所述PWM驱动器连接至少一个PWM电路，所述PWM驱动器同时电连接时间调节电路，所述时间调节电路连接电压比较器芯片，所述电压比较器芯片连接霍尔电路。

优选地，所述电压比较器芯片为LM319、LM339、LM393、LM319D、LM311其中的一种。

优选地，所述电压比较器芯片为灵敏度25-50毫伏。

优选地，所述电压比较器芯片的建立时间为70-90ns。

优选地，电压比较器芯片的反相输入端加一个固定的参考电压，它的值取决于R1于R2，UR＝R2/(R1+R2)*UCC，同相端的电压就等于热敏元件Rt的电压降，当机内温度为设定值以下时，“+”端电压大于“-”端电压，Uo为高电位，当温度上升为设定值以上时，“-”端电压大于“+”端，比较器反转，Uo输出为零电位。

本发明的有益效果包括：

使用本发明的保护电路，即不出现打火，又能保证电源的稳定工作，从而大大的提高了膜层的稳定性。本发明的保护电路特别适用于真空镀膜机，寿命长，成本低，使用方便。

附图说明

图1为本发明偏压电源瞬态保护电路电路图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明内容作进一步说明。

偏压电源瞬态保护电路，包括PWM驱动器，所述PWM驱动器连接至少一个PWM电路，所述PWM驱动器同时电连接时间调节电路，所述时间调节电路连接电压比较器芯片，所述电压比较器芯片连接霍尔电路。

所述电压比较器芯片为LM319、LM339、LM393、LM319D、LM311其中的一种。

所述电压比较器芯片为灵敏度25-50毫伏。

所述电压比较器芯片的建立时间为70-90ns。

电压比较器芯片的反相输入端加一个固定的参考电压，它的值取决于R1于R2，UR＝R2/(R1+R2)*UCC，同相端的电压就等于热敏元件Rt的电压降，当机内温度为设定值以下时，“+”端电压大于“-”端电压，Uo为高电位，当温度上升为设定值以上时，“-”端电压大于“+”端，比较器反转，Uo输出为零电位，使保护电路动作，调节R1的值可以改变门限电压，既设定温度值的大小。

原理如下：

电压比较器它可用作模拟电路和数字电路的接口，还可以用作波形产生和变换电路等。利用简单电压比较器可将正弦波变为同频率的方波或矩形波。

电压比较器是对输入信号进行鉴别与比较的电路，是组成非正弦波发生电路的基本单元电路。

常用的电压比较器有单限比较器、滞回比较器、窗口比较器、三态电压比较器等。

电压比较器可以看作是放大倍数接近“无穷大”的运算放大器。

电压比较器的功能：比较两个电压的大小(用输出电压的高或低电平，表示两个输入电压的大小关系)：

当”+”输入端电压高于”－”输入端时，电压比较器输出为高电平；

当”+”输入端电压低于”－”输入端时，电压比较器输出为低电平；

可工作在线性工作区和非线性工作区。