[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基底；

在所述基底上的栅电极；

在所述栅电极上的栅极绝缘层；

包括与所述栅电极重叠的沟道区、以及彼此相对的源区和漏区的半导体构件，所述栅极绝缘层插入所述沟道区与所述栅电极之间，所述沟道区插入所述源区与所述漏区之间；

在所述半导体构件上的层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上的数据导体；以及

在所述数据导体上的钝化层，

其中所述层间绝缘层具有在所述沟道区上的第一孔以及在所述源区或所述漏区上的第二孔，

所述第一孔和所述第二孔彼此分离，使得所述层间绝缘层在平面图中保持在所述第一孔和所述第二孔之间，

所述数据导体通过所述第二孔连接到所述源区或所述漏区，并且

所述钝化层接触限定所述层间绝缘层的所述第一孔的侧表面。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述钝化层包括位于所述第一孔中的部分。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述数据导体和所述栅电极之间的平面分隔距离为零或大于零。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

在所述沟道区上的绝缘阻挡层，

其中所述绝缘阻挡层在第一方向上的宽度小于所述半导体构件在所述第一方向上的宽度，并且

所述第一孔在所述第一方向上的宽度等于或大于所述沟道区在所述第一方向上的宽度。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述钝化层在所述第一孔中与所述绝缘阻挡层的上表面接触。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述绝缘阻挡层包括氧化硅，并且所述层间绝缘层包括氮化硅。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述栅电极的边缘与所述沟道区的边缘对准。

8.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述钝化层在所述第一孔中与所述沟道区的上表面接触。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述沟道区的边缘与所述栅电极的边缘对准或与所述栅电极重叠。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中：

所述数据导体不与所述栅电极重叠。