[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置。所述薄膜晶体管包括：衬底；位于所述衬底之上的有源层；以及位于所述衬底与所述有源层之间的遮光层、第一介质层和第二介质层，其中，所述第一介质层位于所述第二介质层与所述衬底之间，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，氧化物薄膜晶体管具有电子迁移率高、制备温度低、均一性好等特点，由此越来越受到人们的广泛使用。然而，在顶栅型薄膜晶体管中，发光单元的光照会对薄膜晶体管产生影响，从而影响薄膜晶体管的光照稳定性。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置，能够提高薄膜晶体管的光照稳定性。

在本发明的第一方面中，提供一种薄膜晶体管，包括：衬底；位于所述衬底之上的有源层；以及位于所述衬底与所述有源层之间的遮光层、第一介质层和第二介质层，其中，所述第一介质层位于所述第二介质层与所述衬底之间，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率。

在一个实施例中，所述遮光层位于所述衬底与所述第一介质层之间。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括位于所述衬底上的与所述遮光层同层设置的光反射部，其中，所述第一介质层覆盖所述遮光层和所述光反射部。

在一个实施例中，所述光反射部的材料与所述遮光层的材料相同。

在一个实施例中，所述光反射部的截面形状包括三角形、圆形或梯形。

在一个实施例中，所述遮光层位于所述第一介质层与所述第二介质层之间。

在一个实施例中，所述第一介质层包括氮化硅，所述第二介质层包括氧化硅。

在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层之上的栅极叠层，其中，所述有源层包括位于所述栅极叠层之下的沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源/漏极区，所述栅极叠层包括栅极绝缘层和位于所述栅极绝缘层之上的栅极；位于所述第二介质层、所述有源层和所述栅极叠层之上的层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层包括暴露所述源/漏极区的过孔；位于所述层间绝缘层之上的经由所述过孔连接到所述源/漏极区的源漏电极；以及位于所述层间绝缘层和所述源漏电极之上的钝化层。

在本发明的第二方面中，提供一种制备薄膜晶体管的方法，包括：在衬底上形成遮光层和第一介质层；在所述遮光层和所述第一介质层上形成第二介质层以覆盖所述遮光层和所述第一介质层，其中，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率；以及在所述第二介质层上形成有源层。

在一个实施例中，在所述衬底上形成所述遮光层和所述第一介质层包括：在所述衬底上形成所述遮光层；以及在所述遮光层和所述衬底上形成所述第一介质层。

在一个实施例中，所述方法还包括在所述衬底上形成与所述遮光层同层设置的光反射部，所述第一介质层覆盖所述遮光层和所述光反射部。

在一个实施例中，所述光反射部的材料与所述遮光层的材料相同。

在一个实施例中，在所述衬底上形成所述遮光层和所述第一介质层包括：在所述衬底上形成所述第一介质层；以及在所述第一介质层上形成所述遮光层。