[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底之上的有源层；

位于所述衬底与所述有源层之间的遮光层、第一介质层和第二介质层，其中，所述第一介质层位于所述第二介质层与所述衬底之间，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率，其中，所述遮光层位于所述衬底与所述第一介质层之间；以及

位于所述衬底上的与所述遮光层同层设置的光反射部，其中，所述第一介质层覆盖所述遮光层和所述光反射部，

其中，所述第二介质层具有朝向所述遮光层与所述光反射部之间的突出部。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光反射部的材料与所述遮光层的材料相同。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光反射部的截面形状包括三角形、圆形或梯形。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一介质层包括氮化硅，所述第二介质层包括氧化硅。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：位于所述有源层之上的栅极叠层，其中，所述有源层包括位于所述栅极叠层之下的沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源/漏极区，所述栅极叠层包括栅极绝缘层和位于所述栅极绝缘层之上的栅极；

位于所述第二介质层、所述有源层和所述栅极叠层之上的层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层包括暴露所述源/漏极区的过孔；

位于所述层间绝缘层之上的经由所述过孔连接到所述源/漏极区的源漏电极；以及

位于所述层间绝缘层和所述源漏电极之上的钝化层。

6.一种制备薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成遮光层；

在所述衬底上形成与所述遮光层同层设置的光反射部，

在所述遮光层、所述光反射部和所述衬底上形成第一介质层；在所述遮光层、所述光反射部和所述第一介质层上形成第二介质层以覆盖所述遮光层、所述光反射部和所述第一介质层，其中，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率；以及

在所述第二介质层上形成有源层，

其中，所述第二介质层具有朝向所述遮光层与所述光反射部之间的突出部。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光反射部的材料与所述遮光层的材料相同。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述有源层之上形成栅极叠层，其中，所述有源层包括位于所述栅极叠层之下的沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源/漏极区，所述栅极叠层包括栅极绝缘层和位于所述栅极绝缘层之上的栅极；

形成层间绝缘层以覆盖所述第二介质层、所述有源层和所述栅极叠层；

构图所述层间绝缘层以在所述层间绝缘层中同时形成暴露所述源/漏极区的过孔；

在所述层间绝缘层上形成导电层以填充所述过孔；

构图所述导电层以形成经由所述过孔连接到所述源/漏极区的源漏电极；以及

在所述层间绝缘层和所述源漏电极上形成钝化层。

9.一种包括根据权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管的显示面板。

10.一种包括根据权利要求9所述的显示面板的显示装置。