[发明专利]显示装置及显示装置中基板上阻挡层的成型方法有效
申请号: | 201710331482.2 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107154421B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 程磊磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 中基板上 阻挡 成型 方法 | ||
本发明公开了一种显示装置及显示装置中基板上阻挡层的成型方法,所述显示装置包括:基板、封装层、电子发光层和发光层电极。基板上铺设有阻挡层;阻挡层的至少一部分设在基板面向封装层的一侧;电子发光层设在基板与封装层之间,电子发光层上连接有第一像素电极和第二像素电极;发光层电极铺设在电子发光层与封装层之间,其中,阻挡层与封装层之间形成有有源层、源漏电极和栅电极,源漏电极与有源层电连接,且栅电极分别与有源层和源漏电极绝缘,源漏电极与第一像素电极相连,且栅电极与第二像素电极相连。根据本发明实施例的显示装置,可以有效提高稳定性。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种显示装置及显示装置中基板上阻挡层的成型方法。
背景技术
OLED是一种利用有机半导体材料制成的薄膜发光器件,其具有自发光的特性。OLED主要采用较薄的有机材料涂层和玻璃基板制成,而且无需背光源。因此,当有电流通路时,这些有机材料就会主动发光。由于OLED依赖于电流驱动,因此OLED的发光亮度与流经该OLED的电流大小有关,所以作为驱动的薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)的电学性能会直接影响上述OLED的显示效果,尤其是TFT的阈值电压经常会发生漂移,使得整个OLED显示器件出现了亮度不均匀的问题。
为了改善上述OLED的显示效果,一般都要通过驱动电路对OLED进行像素补偿。然而,现有的OLED像素补偿电路的数据电压信号和参考电压信号需要采用不同的布线输入,而且上述数据电压信号和参考电压信号分别需要一个TFT进行时序控制输出。现有的OLED像素电路中,普遍基于电路设计技术来实现阈值电压补偿以应对TFT器件在长期工作下引起的性能漂移,这大大增加了驱动电路的复杂性,增加了像素电路的面积。
柔性显示装置中的柔性基板多采用聚合物基板,如聚酰亚胺薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜等,这些基板需要增加多层复合保护膜来增加水氧阻挡效果。现有技术中至少存在如下问题:两层结构的阻隔层制备要通过两步完成制备,步骤繁琐,需要投入不同的设备,尤其是涉及到亲性材料,特别是无机亲性材料时要用到等离子体增强化学气相沉积(PECVD),设备昂贵。此外,由于有机无机材料之间存在界面问题,易发生分层。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种显示装置,可以抑制阈值电压漂移。
根据本发明实施例的显示装置,包括:基板、封装层、电子发光层和发光层电极。所述基板上铺设有阻挡层;所述阻挡层的至少一部分设在所述基板面向所述封装层的一侧;所述电子发光层设在所述基板与所述封装层之间,所述电子发光层上连接有第一像素电极和第二像素电极;所述发光层电极铺设在所述电子发光层与所述封装层之间,其中,所述阻挡层与所述封装层之间形成有有源层、源漏电极和栅电极,所述源漏电极与所述有源层电连接,且所述栅电极分别与所述有源层和所述源漏电极绝缘,所述源漏电极与所述第一像素电极相连,且所述栅电极与所述第二像素电极相连。
根据本发明实施例的显示装置,像素电极层形成的补偿电极可以有效提高稳定性的同时,减少了电路设计技术所增加的像素面积。
另外,根据本发明上述实施例的显示装置,还可以具有如下附加的技术特征:
在本发明的一些实施例中,所述阻挡层包括有机阻挡层和无机阻挡层。
在本发明的一些实施例中,所述有机阻挡层铺设在所述基板上,所述无机阻挡层形成于所述有机阻挡层的表面上,所述有机阻挡层经过表面处理形成所述无机阻挡层。
在本发明的一些实施例中,所述有机阻挡层为聚二甲基硅氧烷层,所述无机阻挡层为二氧化硅层。
在本发明的一些实施例中,所述有源层设在所述阻挡层上,所述源漏电极形成在所述阻挡层或所述有源层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的