[发明专利]显示装置及显示装置中基板上阻挡层的成型方法有效
申请号: | 201710331482.2 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107154421B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 程磊磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 中基板上 阻挡 成型 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板,所述基板上铺设有阻挡层;
封装层,所述阻挡层的至少一部分设在所述基板面向所述封装层的一侧;
电子发光层,所述电子发光层设在所述基板与所述封装层之间,所述电子发光层上连接有第一像素电极和第二像素电极;
发光层电极,所述发光层电极铺设在所述电子发光层与所述封装层之间,
其中,所述阻挡层与所述封装层之间形成有有源层、源漏电极和栅电极,所述源漏电极与所述有源层电连接,且所述栅电极分别与所述有源层和所述源漏电极绝缘,所述源漏电极与所述第一像素电极相连,且所述栅电极与所述第二像素电极相连。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述阻挡层包括有机阻挡层和无机阻挡层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,所述有机阻挡层铺设在所述基板上,所述无机阻挡层形成于所述有机阻挡层的表面上,所述有机阻挡层经过表面处理形成所述无机阻挡层。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,所述有机阻挡层为聚二甲基硅氧烷层,所述无机阻挡层为二氧化硅层。
5.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,所述有源层设在所述阻挡层上,所述源漏电极形成在所述阻挡层或所述有源层上。
6.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,所述栅电极与所述有源层间隔开,且所述栅电极与所述有源层之间沉积有绝缘层。
7.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,所述基板为柔性基板,所述基板为聚酰亚胺薄膜或聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜。
8.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,所述基板和所述有源层中的至少一个包括有机半导体和金属氧化物半导体中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述有机半导体材料包括聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚芴、并五苯、酞青氧钛和红荧烯中的至少一种;
所述金属氧化物半导体材料包括氧化锌、氧化铟锌、氧化锌锡、镓铟锌氧化物和锆铟锌氧化物(ZrInZnO)中至少一种。
10.一种根据权利要求1-9中任一项所述的显示装置中基板上阻挡层的成型方法,其特征在于,所述成型方法包括:
在所述基板上涂覆一层经羟基化的聚二甲基硅氧烷膜层,然后对聚二甲基硅氧烷膜层进行氧化处理以在聚二甲基硅氧烷膜层的表面形成二氧化硅膜层,然后对聚二甲基硅氧烷膜层进行低温固化成型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的