[发明专利]一种基于硅基板的影像芯片封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201710329777.6 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN107146799A | 公开(公告)日: | 2017-09-08 |
发明(设计)人: | 秦飞;别晓锐;唐涛;项敏;肖智轶 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 硅基板 影像 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体封装技术,尤其涉及一种影像芯片晶圆级封装技术。
背景技术
影像传感芯片是一种半导体模块,是一种将光学影像转换成为电子信号的设备,电子信号可以用来进一步处理或数字化后进行存储,或用于将影像传递至显示装置进行显示等。它被广泛应用于数码相机和其他电子光学设备中。影像传感芯片主要分为电荷耦合器件(CCD)和CMOS影像传感器(CIS)两类。虽然CCD影像传感器在影像质量以及噪声等方面优于CMOS影像传感器,但是CMOS传感器可用传统的半导体生产技术制造,生产成本较低。同时由于所用的元件数相对较少以及信号传输距离短,CMOS影像传感器具备功耗低、电容、电感和寄生延迟降低等优点。
现有的影像传感芯片结构一般在影像芯片功能面通过围堰与玻璃盖板粘结,这种方式会导致围堰接触功能面,就增大了功能区污染的概率,比如发生溢胶。此外,随着对影像芯片的高性能需求的增大,影像传感芯片I/O口势必会增加,对于现有的影像芯片封装结构,I/O口增大,布球的空间就显得不足。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提出一种影像芯片的封装结构及其制作方法,将影像芯片粘结于基板上,再将带有围堰的玻璃盖板粘结在基板上,在基板第二表面和影像芯片非功能面形成开口,暴露处影像芯片的焊垫,设置导电线路将焊垫电性连到基本背面,封装完毕切割形成影像芯片封装结构。
本发明的技术方案是这样实现的:
一种影像芯片的封装结构,该封装结构包括至少一影像芯片,一基板,一玻璃盖板,所述基板具有第一表面和与其相对的第二表面,所述第一表面上覆盖有一层粘接层,所述粘结层具有第一开口和第二开口,所述基板第二表面具有第三开口,所述影像芯片含有功能面和与其相对的非功能面,所述功能面含有焊垫和功能区,所述非功能面对应焊点位置设有暴露焊垫的第四开口,所述影像芯片的非功能面通过粘结层与所述基板第一表面粘结,所述粘结层第一开口对应所述影像芯片非功能面第四开口的位置,所述第一开口与第三开口、第四开口连接形成通孔,所述玻璃盖板正面包含围堰,所述基板第一表面与所述玻璃盖板正面围堰粘结形成空腔,影像芯片位于空腔位置,所述通孔内壁及基板第二表面设有导电线路,所述导电线路将影像芯片焊垫电性引到基板第二表面。
利用影像芯片的封装结构进行的一种影像芯片封装结构的制作方法,该方法包括如下步骤:提供一基板,在基板第一表面覆盖一层具有第一开口和第二开口的粘结层;提供一影像芯片,将影像芯片非功能面与粘接层粘结,所述第一开口位于影像芯片焊垫朝向非功能面的正下方;提供一正面含有围堰的玻璃盖板,将基板第一表面与所述玻璃盖板正面围堰粘结形成空腔,影像芯片位于空腔位置;在所述基板第二表面形成第三开口;在所述影像芯片非功能面形成暴露焊垫的第四开口;所述第四开口与第一开口、第三开口形成通孔;在所述通孔内壁形成暴露焊垫的绝缘层;在所述绝缘层上形成图形化的导电线路;在所述导电线路上形成保护层,所述保护层上形成有焊盘开口;在所述焊盘开口形成导电结构;切割形成单颗影像芯片封装体。
有益效果
本发明提供一种影像芯片的封装结构及其制作方法,玻璃盖板与基板粘结,避免了溢胶污染感光区,提高芯片的可靠性;芯片粘结在基板上,布球空间不仅限于芯片上,增加了布球空间。
附图说明
图1为本发明影像芯片的剖面结构示意图;
图2为本发明基板的剖面结构示意图;
图3为本发明基板上形成包含第一开口的粘结层;
图4为本发明影像芯片与基板粘结后的剖面结构示意图;
图5为本发明玻璃盖板与基板粘结后的剖面结构示意图;
图6为本发明基板减薄且第二表面形成第二开口后的剖面结构示意图;
图7为本发明影像芯片非功能面形成第三开口后的剖面结构示意图;
图8为本发明第一、二、三开口处形成绝缘层后的剖面结构示意图;
图9为本发明绝缘层上形成导电线路后的结构示意图;
图10为本发明导电线路上形成保护层后的结构示意图;
图11为本发明保护层开口处形成导电结构后的结构示意图;
图12为本发明单颗影像芯片的结构示意图。
结合附图作以下说明:
100---影像芯片101---焊垫102---功能区
103---第四开口200---基板201---第三开口
300---粘结层301---第一开口302---第二开口
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的