[发明专利]一种掩膜版以及阵列基板的制备方法

说明书

本发明公开了一种掩膜版以及阵列基板的制备方法，该掩膜版包括：间隔设置、且为半透光区的至少两个第一子区域；设置于至少两个第一子区域之间的间隔处、且透光率大于第一子区域的至少一个第二子区域；当对光阻进行曝光时，第二子区域曝光的光阻厚度大于第一子区域曝光的光阻厚度，且当制作阵列基板时，至少一个第二子区域对应的位置为阵列基板的至少一个沟道。通过该掩膜版，可以在制作阵列基板时降低曝光与灰化的时间，节省能量。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜版以及阵列基板的制备方法。

背景技术

在平板显示领域，薄膜晶体管是制作显示装置的关键器件，而在制作薄膜晶体管的过程中，掩膜版是一个必不可少的工具。

请参阅图1，现有的掩膜版在两个遮光区1之间的缝隙处设置半透光膜2，在进行曝光时，两个遮光区1完全不透光，光阻3对应两个遮光区1处的光阻完全被留下来，而半透膜2的位置只有部分的光透过，光阻3对应半透膜2处的光阻部分被曝光掉，在后续的制程中，当半透膜2对应位置处的剩余光阻全部被灰化后，经过一系列制程，半透膜2对应位置制成薄膜晶体管的沟道。

本申请的发明人在长期的研究中发现，现有的这种掩膜版在制备薄膜晶体管的过程中，需要进行曝光以及灰化的时间较长，容易造成产能偏低，能量损失较大。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种掩膜版以及阵列基板的制备方法，能够降低曝光及灰化的时间，节省能量。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种掩膜版，包括：

第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；

第二区域，所述第二区域包括至少一个第二子区域，所述至少一个第二子区域设置于所述至少两个第一子区域之间的间隔处，且所述第二子区域的透光率大于所述第一子区域；

其中，当对光阻进行曝光时，所述第二子区域曝光的所述光阻厚度大于所述第一子区域曝光的所述光阻厚度，且当制作阵列基板时，所述至少一个第二子区域对应的位置为所述阵列基板的至少一个沟道。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，包括：

提供一基板，在所述基板上依次形成栅极层，覆盖所述栅极层以及所述基板的绝缘层、覆盖所述绝缘层的半导体层、覆盖所述半导体层的第二金属层、覆盖所述第二金属层的光阻层；

提供一掩膜版，对所述光阻层进行曝光；

进行显影，将所述掩膜版的图形转移到所述光阻层上，

其中，所述掩膜版包括：

第一区域，所述第一区域包括至少两个第一子区域，所述至少两个第一子区域间隔设置，且所述至少两个第一子区域为半透光区；

第二区域，所述第二区域包括至少一个第二子区域，所述至少一个第二子区域设置于所述至少两个第一子区域之间的间隔处，且所述第二子区域的透光率大于所述第一子区域，当对所述光阻层进行曝光时，所述第二子区域曝光的所述光阻层的光阻厚度大于所述第一子区域曝光的所述光阻层的光阻厚度，同时所述第一子区域以及所述第二子区域对应的所述光阻层的光阻均未被完全曝光。