[发明专利]一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法

权利要求书

1.一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

(1) CdZnTe多晶升华源的准备：将CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；

(2) 衬底预处理：采用镀有GaN的单晶硅片作为衬底，将衬底分别用丙酮、酒精、去离子水分别清洗15分钟，洗去衬底表面的杂质和有机物，再用氮气吹干后放入近空间升华反应室内；

(3) CdZnTe薄膜的生长过程：开机械泵抽真空，将近空间升华反应室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底分别加热到600℃、550℃；生长20min后，关闭卤素灯，待样品冷却至室温后，关闭机械泵，取出样品，即得到GaN/CdZnTe薄膜；

(4) GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器制作：采用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀厚为100nm的金电极，然后将金电极放在N₂气体氛围下于450℃退火30min ，使GaN/CdZnTe薄膜与金电极之间形成更好的欧姆接触，最后制得薄膜复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。

2.根据权利要求1 所述的一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其特征在于，上述步骤(1)中所述的CdZnTe多晶体为峨眉半导体材料厂生产的商用CdZnTe多晶体基片。