[发明专利]使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构

权利要求书

1.一种使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于包括：以垂直叠加的形式生成的第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域；在第三半导体区域正上方邻接地形成有漏极，在第一半导体区域正下方邻接地形成有源极，鳍式栅极以部分地环绕第二半导体区域的方式形成在第二半导体区域周围；其中鳍式栅极与第二半导体区域经由氧化物绝缘物隔开；第一半导体区域和第三半导体区域具有第一掺杂类型，第二半导体区域具有第二掺杂类型。

2.如权利要求1所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、漏极和源极为长方体结构，而且鳍式栅极形成在第二半导体区域的三个侧面。

3.如权利要求1所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、漏极和源极为半圆柱形结构，而且鳍式栅极形成在第二半导体区域的弧形侧面。

4.如权利要求1至3之一所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，第一掺杂类型为n+型掺杂类型，第二掺杂类型为p型掺杂类型。

5.如权利要求1至3之一所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，第一掺杂类型为p+型掺杂类型，第二掺杂类型为n型掺杂类型。

6.如权利要求1至3之一所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，第一半导体区域和第三半导体区域的掺杂浓度大于第二半导体区域的掺杂浓度。

7.如权利要求1至3之一所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，所有存储单元的源极通过衬底接地。

8.如权利要求1至3之一所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，存储单元的源极经由氧化物绝缘层与衬底隔离；而且，各个存储单元的源极经由各自的源线引出。

9.如权利要求1至3之一所述的使用垂直型鳍式场效晶体管的超高密度随机存储器架构，其特征在于，各个漏极分别与一个存储器单元相连接，然后再与一条位线相连接。