[发明专利]一种高定向石墨烯散热薄膜的制备方法及散热薄膜有效

专利信息
申请号: 201710291753.6 申请日: 2017-04-28
公开(公告)号: CN107010618B 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 孙贤贤;李宜彬;赫晓东;徐帆;林在山 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 梁超
地址: 150006 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 散热薄膜 氧化石墨烯 石墨烯 制备 高定向石墨 面内热导率 热处理 定向处理 定向排布 石墨烯膜 分散液 热导率 水合肼 散热 还原 加压 配制 应用
【说明书】:

发明提供一种高定向石墨烯散热薄膜的制备方法及散热薄膜,解决了石墨烯的高度定向排布问题,实现面内超高热导率。方法:配制氧化石墨烯分散液;氧化石墨烯的高定向处理;冷冻干燥得氧化石墨烯泡沫;水合肼还原得石墨烯泡沫;加压得石墨烯膜;后期热处理;本发明能够制备厚度可以控制、石墨烯高度定向分布的样品。其面内热导率可以达到2400W/(m.K),可广泛地应用于散热领域中。

技术领域

本发明涉及高导热材料领域,具体涉及一种高定向石墨烯散热薄膜的制备方法及散热薄膜。

背景技术

近年来电子产品功率越来越大,但是体积越来越小。集成电路的小型化和高度集成,使电子元器件的组装密度持续增加,在提供了强大的使用功能的同时,也导致了其工作功耗和发热量的急剧增大。高温将会对电子元器件的稳定性、可靠性和寿命产生有害的影响。Mithal的研究结果表明(Mithal et al.Design of experimental based evaluationof thermal performance of a flichip electronic assembly[C].ASME EEPProceedings.New York:ASME,1996,18:109–115.),电子元件的温度在正常工作温度水平上降低1℃,其故障率可减4%;若增加10~20℃,则故障率提高100%。因此,为了能够使器件发挥最佳性能并确保高可靠性,对热设计工作应予以高度重视因此,为了能够使器件发挥最佳性能并确保高可靠性,必须确保发热电子元器件所产生的热量能够及时的排出。传统的散热材料——金属已经不能满足越来越大的散热需求,而且金属密度大、热导率低,不符合我们对电子产品小型化的追求。

石墨烯作为一类新型材料,除具有超高的强度之外,其单层热导率高达~5300W/(m·K),给新一代散热材料的研制提供了难得的机遇。但是由于石墨烯本身的尺寸非常小(厚度只有不到1纳米,二维方向几十微米),在纳观尺度很难操控。如果能将石墨烯以某种方式组装成宏观的结构或者材料,又能充分发挥石墨烯纳观尺度的热学性能,实现从纳观尺度到宏观尺度的跨越,就可以使得石墨烯的热学性能得到有效利用。

具有完美晶格的单层石墨烯具有超高的热导率,但是其做成宏观材料,石墨烯本身的结晶度、层数、尺寸、石墨烯片层的定向性、致密性等是影响材料热导率的重要因素。

单层石墨烯很难实现,因此石墨烯制造宏观散热材料往往需要多层,而随着石墨烯层数增加,声子的散射通道增加,倒逆过程增加,其热导率会极速下降。当层数为4层时,石墨烯的热导率会下降到2000W/(m·K)以下(Youdi K,Lucas L,et al.UnusualEnhancement in Intrinsic Thermal Conductivity of Multilayer Graphene byTensile Strains[J].Nano Lett.2015(15):6121-6127.)。现有技术制备的石墨烯片层定向性低,界面热阻大,进而导致沿片层方向的热导率低。且石墨烯泡沫经还原后,原有的定向排布会被破坏,降低热导。

发明内容

针对上述单层石墨烯很难实现,因此石墨烯制造宏观散热材料往往需要多层,而随着石墨烯层数增加,声子的散射通道增加,倒逆过程增加,其热导率会极速下降。当层数为4层时,石墨烯的热导率会下降到2000W/(m·K)以下;现有技术制备的石墨烯片层定向性低,声子散射大,界面热阻大,进而导致沿片层方向的热导低;且石墨烯泡沫经还原后,原有的定向排布会被破坏,降低热导率等问题,本发明提供一种高定向石墨烯散热薄膜的制备方法,具体是按照以下步骤进行的:

1)配制氧化石墨烯分散液;

2)氧化石墨烯的高定向处理;

3)冷冻干燥:得到氧化石墨烯泡沫;

4)水合肼还原:将步骤4)得到的氧化石墨烯泡沫用水合肼还原得石墨烯泡沫;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710291753.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top