[发明专利]柔性显示器及其形成方法有效
申请号: | 201710278073.0 | 申请日: | 2017-04-25 |
公开(公告)号: | CN107204343B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 陈海晶 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/00;H01L27/32 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示器 及其 形成 方法 | ||
1.一种柔性显示器,其特征在于,包括:
第一柔性基板,薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层,所述有源层位于所述第一柔性基板的第一侧;
多个第二柔性基板,所述第二柔性基板位于所述有源层与所述第一柔性基板之间;
所述有源层包括沟道区,所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影至少覆盖所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影;
缓冲层,所述缓冲层位于所述沟道区与所述第二柔性基板之间,所述缓冲层的热膨胀系数小于所述第二柔性基板的热膨胀系数;
所述第一柔性基板的热膨胀系数小于所述第二柔性基板的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影与所述有源层在所述第一柔性基板所在平面的正投影完全重叠。
3.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,在显示区内,所述第一柔性基板的所述第一侧设置有,多条沿第一方向排列且沿第二方向延伸的栅极线,多条沿所述第二方向排列且沿所述第一方向延伸的数据信号线;
所述第一方向与所述第二方向交叉,所述栅极线与所述数据信号线绝缘;
设定相邻的两条所述栅极线与相邻的两条所述数据信号线之间限定的区域为像素区域,所述薄膜晶体管位于所述像素区域内,所述像素区域内设置有多个所述薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述柔性显示器,其特征在于,位于同一个所述像素区域内的所有所述薄膜晶体管的所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影被同一个所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。
5.根据权利要求3所述柔性显示器,其特征在于,所述显示区包括多个所述像素区域,所述像素区域在所述显示区内呈阵列排布;
在所述显示区内,同一列和/或同一行的所述薄膜晶体管的所述沟道区在所述第一柔性基板所在平面的正投影被同一个所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影所覆盖。
6.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述第一柔性基板的所述第一侧设置有第一凹槽,所述第二柔性基板设置于所述第一凹槽内。
7.根据权利要求6所述柔性显示器,其特征在于,所述第二柔性基板在垂直方向的厚度等于所述第一凹槽的深度。
8.根据权利要求6或7所述柔性显示器,其特征在于,所述第二柔性基板在水平方向的宽度等于所述第一凹槽的宽度。
9.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述第二柔性基板的热膨胀系数比所述第一柔性基板的热膨胀系数至少大5ppm/K。
10.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述第一柔性基板的热膨胀系数为CTE1,1ppm/K≤CTE1≤30ppm/K,所述第二柔性基板的热膨胀系数为CTE2,10ppm/K≤CTE2≤50ppm/K。
11.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述第一柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯。
12.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述第二柔性基板包括聚酰亚胺、聚醚砜、聚醚酰亚胺、多芳基化合物、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚乙烯醚邻苯二甲酸酯。
13.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述缓冲层在所述第一柔性基板所在平面的正向投影与所述第二柔性基板在所述第一柔性基板所在平面的正投影完全重叠。
14.根据权利要求1所述柔性显示器,其特征在于,所述缓冲层的热膨胀系数为CTE3,0.5ppm/K≤CTE3≤10ppm/K。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的