[发明专利]CVD设备及其温度控制方法与发热体

权利要求书

1.一种用于加热可旋转基片承载盘的发热体，所述基片承载盘(40)的上表面用于承载一个或多个基片，所述发热体配置于所述基片承载盘的下表面的下方；

所述发热体至少包括加热功率可独立控制的第一加热丝(S1)与第二加热丝(S2)，用于加热位于发热体上方的基片承载盘下表面；所述第一加热丝至少包括第一加热段与第二加热段，所述第二加热丝包括至少一个加热段；

所述第一加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S_1min，所述第一加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S_1max；所述第二加热丝最近端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S_2min，所述第二加热丝最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离记为S_2max，由S_1min与S_1max确定的数值区间[S_1min，S_1max]与由S_2min与S_2max确定的数值区间[S_2min，S_2max]之间的交集不为空集；

所述第一加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿以点(O’)为圆心的半径方向上的分布，与所述第二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同，其中，所述点(O’)为基片承载盘旋转轴线(OO’)与基片承载盘下表面的交点。

2.如权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述第一加热丝最近端、最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离S_1min、S_1max分别与所述第二加热丝最近端、最远端到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离S_2min、S_2max相等。

3.如权利要求1所述的发热体，其特征在于，在基片承载盘的下表面内至少存在以所述点(O’)为圆心的两个圆周，分别记为第一圆周与第二圆周，所述第一、二圆周的半径值不相等且都落在[S_1min，S_1max]与[S_2min，S_2max]的交集内；

所述第一、二加热丝在该两个圆周上的圆周平均热功率满足以下条件：P_a1：P_b1≠P_a2：P_b2；

其中，P_a1为所述第一加热丝(S1)作用在所述第一圆周上的圆周平均热功率，P_b1为所述第一加热丝作用在所述第二圆周上的圆周平均热功率；

P_a2为所述第二加热丝(S2)作用在所述第一圆周上的圆周平均热功率，P_b2为所述第二加热丝作用在所述第二圆周上的圆周平均热功率。

4.如权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述第一、二加热丝均为连续带状体。

5.如权利要求1所述的发热体，其特征在于，同一加热丝内相邻加热段之间通过一连接段连为一体。

6.如权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述第一、二加热丝围绕基片承载盘的旋转轴线(OO’)排布。

7.如权利要求1所述的发热体，其特征在于，所述发热体整体位于同一平面内。

8.如权利要求7所述的发热体，其特征在于，所述第一、二加热丝的布线形状相同，到基片承载盘旋转轴线(OO’)的距离相等，第一、二加热丝中的至少一对对应加热段具有不同的电阻值，使得所述第一、二加热丝作用在基片承载盘上的圆周平均热功率在沿所述半径方向上的分布不同。

9.如权利要求8所述的发热体，其特征在于，所述第一、二加热丝由相同材质制成，对应加热段的宽度或/和厚度不同而使得它们的电阻值不同。