[发明专利]一种特殊栅极的随机存储器架构在审
| 申请号： | 201710244201.X | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108735738A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 肖荣福;郭一民;陈峻 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L27/22 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体薄膜 串联式 第二区域 第一区域 随机存储器 掺杂类型 架构 氧化物绝缘层 漏极 排布 源极 | ||
1.一种随机存储器架构，其特征在于包括：由第一区域、第二区域和第三区域依次排布形成的串联式半导体薄膜，其中，第一区域和第三区域具有第一掺杂类型，第二区域具有第二掺杂类型；而且其中，在串联式半导体薄膜的第一区域上方形成有漏极，在串联式半导体薄膜的第三区域上方形成有源极；在串联式半导体薄膜的第二区域下方形成有栅极，而且在串联式半导体薄膜与栅极之间形成有氧化物绝缘层。
2.如权利要求1所述的随机存储器架构，其特征在于，第一掺杂类型为n+型浓掺杂类型，第二掺杂类型为p型掺杂类型。
3.如权利要求2所述的随机存储器架构，其特征在于，第一掺杂类型为p+型浓掺杂类型，第二掺杂类型为n型掺杂类型。
4.如权利要求1至3之一所述的随机存储器架构，其特征在于，第一区域和第三区域的掺杂浓度相等，而且第二区域的类型与第一区域和第三区域相反，且掺杂浓度小于第一区域和第三区域的掺杂浓度。
5.如权利要求1至3之一所述的随机存储器架构，其特征在于，漏极和源极之间由氧化物隔离区域隔开，所有栅极底部均用氧化物绝缘层将其与衬底隔开。
6.如权利要求1至3之一所述的随机存储器架构，其特征在于，所述栅极连接随机存储器的字线，所述漏极连接随机存储器的位线，所述源极连接随机存储器的源线。
7.如权利要求1至3之一所述的随机存储器架构，其特征在于，所述源极经由随机存储器的记忆单元连接至随机存储器的源线。
8.如权利要求1至3之一所述的随机存储器架构，其特征在于，所述漏极经由随机存储器的记忆单元连接至随机存储器的位线，而且所述源极直接接地。
9.如权利要求1至3之一所述的随机存储器架构，其特征在于，所示随机存储器架构可用作DRAM、RRAM、PRAM、FRAM、MRAM和pSTT-MRAM中的任何一种随机存储器的写读控制器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
