[发明专利]存储器装置、系统及其操作方法

说明书

本发明公开了一种存储器装置、系统及其操作方法。其中，该存储器装置包括存储器单元以及选择器。存储器单元用以存储数据。选择器耦接存储器单元，选择器具有可被设定成不同电平的可调式电性参数；其中当选择器的可调式电性参数被设定成第一电平，选择器响应致能的操作讯号而开启，以允许存储器单元中的数据被存取；当选择器的可调式电性参数被设定成第二电平，选择器在接收致能的操作讯号时维持关闭，以禁止存储器单元中的数据被存取。

技术领域

本发明是有关于一种存储器装置、系统及其操作方法。

背景技术

电阻性存储器，例如电阻性随机存取存储器(Resistive Random Access Memory，ReRAM)，已广泛地应用在各式电子产品中。电阻性存储器包括多个存储单元，各个存储单元具有特定的电阻值以表示存储的数据值，例如0或1。一般而言，对电阻性存储器的存储单元进行编程操作，可通过改变存储单元的电阻值来完成。

然而，电阻性存储器中往往存在少数存储单元无法经由编程操作而设定至预定的电阻值，使得存储器中存在错误位(failure bit)。由于这些错误位通常是随机发生且难以预测，如何有效抑制这些错误位的影响，成为改善存储装置可靠度的关键。

发明内容

本发明是有关于一种存储器装置、存储器系统及其操作方法。存储器装置包括存储器单元以及选择器。选择器具有可被设定成不同电平的可调式电性参数。当选择器的可调式电性参数被设定在第一电平，选择器操作在一致能状态。在此情况下，当存储器单元被选取，选择器将开启，使得存储器单元可被编程或读取。另一方面，当选择器的可调式电性参数被设定在第二电平，选择器将操作在一非致能状态。在此情况下，当存储器单元被选取，选择器将维持关闭，使得存储器单元无法被存取。利用上述特性，控制电路可先从存储器阵列中辨识出无法成功编程的存储器单元，再将耦接这些无法成功编程的存储器单元的选择器设定成非致能状态，以避免错误位对存储装置的不利影响。此外，一旦选择器被处于非致能状态，存储器装置将操作在极低漏电流的条件，故可有效避免潜通道电流(sneakpath current)的影响，并改善功率消耗。

根据本发明的一实施例，提出一种存储器装置。存储器装置包括存储器单元以及选择器。存储器单元用以存储数据。选择器耦接存储器单元，选择器具有可被设定成不同电平的可调式电性参数；其中当选择器的可调式电性参数被设定成第一电平，选择器响应致能(enabled)的操作讯号而开启，以允许存储器单元中的数据被存取；当选择器的可调式电性参数被设定成第二电平，选择器在接收致能的操作讯号时维持关闭，以禁止存储器单元中的数据被存取。

根据本发明的一实施例，提出一种存储器系统。存储器系统包括存储器阵列以及控制电路。存储器阵列包括多个存储器装置，各存储器装置包括存储器单元以及选择器。选择器耦接至存储器单元，选择器具有可被设定成不同电平的可调式电性参数。控制电路耦接存储器阵列，用以存取这些存储器单元，并设定这些选择器的可调式电性参数。其中当这些选择器中的一特定选择器的可调式电性参数被设定在第一电平，特定选择器响应致能(enabled)的操作讯号而开启，以允许这些存储器单元中耦接特定选择器的特定存储器单元的数据被存取；当特定选择器的可调式电性参数被设定在第二电平，特定选择器在接收致能的操作讯号时维持关闭，以禁止特定存储器单元中的数据被存取。

根据本发明的一实施例，提出一种存储器系统的操作方法。存储器系统包括存储器阵列，存储器阵列包括多个存储器装置，各存储器装置包括存储器单元以及选择器，选择器耦接存储器单元，并具有可被设定成不同电平的可调式电性参数。所述的操作方法包括：读取这些存储器单元，以判断这些存储器单元是否通过编程操作；当判断出这些存储器单元中的一特定存储器单元通过编程操作后，将这些选择器中耦接特定存储器单元的特定选择器的可调式电性参数设定在第一电平，以控制特定选择器在接收致能(enabled)的操作讯号被开启，以允许特定存储器单元中的数据被存取；当判断出特定存储器单元未通过编程操作，将特定选择器的可调式电性参数设定在第二电平，以控制特定选择器在接收致能的操作讯号时维持关闭，以禁止特定存储器单元中的数据被存取。