[发明专利]存储器装置、系统及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一存储器单元，用以存储一数据；以及

一选择器，耦接该存储器单元，该选择器具有可被设定成不同电平的一可调式电性参数，其中，该选择器包括一晶体管，该可调式电性参数是该晶体管的一阈值电压；

其中当该选择器的该可调式电性参数被设定成一第一电平，该选择器响应致能的一操作讯号而开启，以允许该存储器单元中的该数据被存取；当该选择器的该可调式电性参数被设定成一第二电平，该选择器在接收致能的该操作讯号时维持关闭，以禁止该存储器单元中的该数据被存取。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该晶体管具有耦接一字线的一控制端、耦接该存储器单元一第一端、以及耦接一偏压源的一第二端，该字线用以传递该操作讯号；

其中当该晶体管的该阈值电压被设定成该第二电平，该晶体管被关闭，且不被该操作讯号开启；

当该晶体管的该阈值电压被设定成该第一电平，该晶体管响应致能的该操作讯号而开启，并响应非致能的该操作讯号而关闭，该第二电平是高于该第一电平。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，该晶体管被执行一热载子注入或弗勒-诺登穿透操作，使得该晶体管的该阈值电压从该第一电平调整至该第二电平。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，当该存储器单元未通过一编程操作，该选择器的该可调式电性参数被设定在该第二电平。

5.一种存储器系统，其特征在于，包括：

一存储器阵列，包括多个存储器装置，各该存储器装置包括：

一存储器单元；以及

一选择器，耦接至该存储器单元，该选择器具有可被设定成不同电平的一可调式电性参数，其中，该选择器包括一晶体管，该可调式电性参数是该晶体管的一阈值电压；以及

一控制电路，耦接该存储器阵列，用以存取这些存储器单元，并设定这些选择器的这些可调式电性参数；

其中当这些选择器中的一特定选择器的该可调式电性参数被设定在一第一电平，该特定选择器响应致能的一操作讯号而开启，以允许这些存储器单元中耦接该特定选择器的一特定存储器单元的数据被存取；当该特定选择器的该可调式电性参数被设定在一第二电平，该特定选择器在接收致能的该操作讯号时维持关闭，以禁止该特定存储器单元中的该数据被存取。

6.根据权利要求5所述的存储器系统，其特征在于，该特定选择器包括一晶体管，该可调式电性参数是该晶体管的一阈值电压，该晶体管具有耦接一字线的一控制端、耦接该特定存储器单元一第一端、以及耦接一偏压源的一第二端，该字线用以传递该操作讯号；

其中当该晶体管的该阈值电压被设定成该第二电平，该晶体管被关闭，且不被该操作讯号开启；

当该晶体管的该阈值电压被设定成该第一电平，该晶体管响应致能的该操作讯号而开启，并响应非致能的该操作讯号而关闭，该第二电平是高于该第一电平。

7.根据权利要求6所述的存储器系统，其特征在于，该控制电路更用以对该晶体管执行一热载子注入或一弗勒-诺登穿透操作，以将该晶体管的该阈值电压从该第一电平调整至该第二电平。

8.根据权利要求5所述的存储器系统，其特征在于，该控制电路更用以：

读取这些存储器单元，以判断这些存储器单元是否通过一编程操作；以及

针对这些存储器单元中未通过该编程操作的一第一存储器单元，将这些选择器中耦接该第一存储器单元的一第一选择器的该可调式电性参数设定在该第二电平。

9.根据权利要求8所述的存储器系统，其特征在于，该控制电路更用以：

针对这些存储器单元中通过该编程操作的一第二存储器单元，将这些选择器中耦接该第二存储器单元的一第二选择器的该可调式电性参数设定在该第一电平。

10.一种存储器系统的操作方法，其特征在于，该存储器系统包括一存储器阵列，该存储器阵列包括多个存储器装置，各该存储器装置包括一存储器单元以及一选择器，该选择器耦接该存储器单元，并具有可被设定成不同电平的一可调式电性参数，其中，该选择器包括一晶体管，该可调式电性参数是该晶体管的一阈值电压，该操作方法包括：

读取这些存储器单元，以判断这些存储器单元是否通过一编程操作；

当判断出这些存储器单元中的一特定存储器单元通过该编程操作，将这些选择器中耦接该特定存储器单元的一特定选择器的该可调式电性参数设定在一第一电平，以控制该特定选择器在接收致能的一操作讯号时被开启，以允许该特定存储器单元中的一数据被存取；以及

当判断出该特定存储器单元未通过该编程操作，将该特定选择器的该可调式电性参数设定在一第二电平，以控制该特定选择器在接收致能的该操作讯号时维持关闭，以禁止该特定存储器单元中的该数据被存取。