[发明专利]一种基于溶液法加工的具有高透明窗口层材料的高效CdTe纳米晶太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201710242991.8 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN107123693B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | 覃东欢;温诗雅;李妙姿;刘鑫妍;刘松炜 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0296;H01L31/0392;H01L31/072;H01L31/073;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 溶液 加工 具有 透明 窗口 材料 高效 cdte 纳米 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种基于溶液法加工的具有高透明窗口层材料的高效CdTe纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极依次层叠构成。阴极界面层指ZnO,窗口层为掺杂有Mg、Sb、In、Al、Bi、Zr、Pb、Nb的TiO2或ZnS薄膜,光活性层由一层或多层CdTe纳米晶层组成;阴极指氧化铟锡导电膜、掺杂二氧化锡、金属膜和金属氧化物薄膜中的至少一种;阳极为Au;本发明的太阳电池采用溶液加工技术,实现太阳电池的超薄化,且性能优异,能量转换效率高达3.53%。该发明制备工艺简单,主要过程均可在普通的通风橱内溶液加工完成,且使用较低温度热处理,大大减少了制作成本。
技术领域
本发明属于光电器件领域,具体涉及一种基于溶液法加工的具有高透明窗口层材料的高效CdTe纳米晶太阳电池及其制备方法。
背景技术
二十一世纪以来,化石能源经数十年的大规模开采使用,已濒于枯竭。工业革命至今,温室效应导致地球的平均温度上升了0.3~0.6℃,海平面上升了10~25cm。温室效应气体的主要成分是二氧化碳,而其中80%是由化石燃料的消耗产生的。可见,人类正遭遇能源短缺和环境恶化的双重危机。发展一种高效清洁的能源,是当今人类函待解决的问题。开发太阳能,是当今能源开采的必然趋势,因为太阳能正是符合上述条件的绿色能源。太阳能光伏发电,与传统的发电原理相比,具有不经过其他媒介,无转动部件,模块化结构,运行维护简易,建设周期短以及利用荒漠土地和建筑物屋顶资源等优点,是大规模开发利用太阳能的必由之路。
传统的晶硅电池,因其对原料和能源需求较大,成本居高不下,且能量回收期较长,性价比有待提高。近年来,薄膜电池以其成本低廉的绝对优势异军突起,主要包括硅基薄膜太阳电池、无机化合物薄膜电池(铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池、碲化镉(CdTe)太阳电池)和有机聚合物薄膜电池。其中,无机化合物薄膜太阳电池优点是能很好地与太阳光谱匹配、吸收系数较大、能量转换效率高。近期,美国的实验室制作的碲化镉薄膜太阳电池的能量转化效率达到了20.4%,与多晶硅太阳电池的最高转化效率非常接近。但是,其主要的制备方法是近空间升华法、真空蒸镀法、电化学沉积法、磁控溅射法等,真空或高温环境制约其成本的进一步降低。基于溶液法加工的无机纳米晶太阳电池,可以通过引入卷对卷溶液加工法,实现工业上低成本、大面积、轻重量、可弯曲薄膜太阳电池的制备,且能保持无机半导体材料良好的太阳光谱响应、载流子传输性能以及良好的稳定性的优点。纳米晶太阳电池是当前研究的一个热点。不仅如此,纳米晶材料可以通过调节晶粒的尺寸大小来进行带隙调控,实现单一材料多种带隙,这是聚合物材料无法比拟的优势。
2005年,Alivisatos(I.Gur,N.A.Fromer,M.L.Geier,A.P.Alivisatos,Science,2005,310,462.)研究小组开展了基于旋涂方法制备无机纳米晶太阳电池的研究。主要是借鉴了有机聚合物溶液成膜的方法,采用溶剂热法制备出和纳米晶分别作为给体和受体材料,采用旋涂的方法成功制备了结构为ITO/CdTe(100nm)/CdSe(100nm)/Al的全无机纳米晶太阳电池。其中作为给体层主要吸收太阳能产生的电子空穴对,作为受体层,用于传输电子,形成了典型的二极管器件结构。他们通过烧结处理改善晶面,减少缺陷态密度,从而减小串联电阻,增大开路电压。在标准AM1.5模拟太阳光照射下,其短路电流为13.2mA/cm2,开路电压为0.45V,填充因子为49%,转化效率为2.9%。其实,还可以通过减小和的失配率来进一步提高开路电压,从而提高光电转化效率。至此,溶液法加工全无机纳米晶太阳电池被广泛关注。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的