[发明专利]堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法有效
申请号: | 201710234357.X | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN107134430B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 黄昌俊;J·克拉克 | 申请(专利权)人: | 商升特公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;张涛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆叠 半导体 管芯 用于 系统 esd 保护 装置 方法 | ||
1.一种制造半导体装置的方法,包括:
通过以下方式形成静电放电保护半导体封装:
提供包括第一保护电路的第一半导体管芯;
在所述第一半导体管芯上面设置包括第二保护电路的第二半导体管芯,其中所述第一半导体管芯的第一导电通孔与所述第二半导体管芯的第二导电通孔对准;
在所述第一导电通孔和第二导电通孔之间提供互连结构;
将所述第一半导体管芯和第二半导体管芯设置在引线框架上面,其中所述第一保护电路和第二保护电路并联电耦合在所述引线框架的第一端子和第二端子之间,以及
将密封剂沉积在所述第一半导体管芯、第二半导体管芯和引线框架上面;
提供第二半导体封装;以及
将所述第二半导体封装电耦合到所述静电放电保护半导体封装,其中发生到所述引线框架的第一端子的瞬变情况共同地通过所述第一保护电路和所述第二保护电路放电到所述引线框架的第二端子,以保护所述第二半导体封装免遭所述瞬变情况。
2.权利要求1所述的方法,其中,提供所述互连结构包括:
在所述第一半导体管芯的表面上在所述第一导电通孔上面形成第一接触焊盘;
在所述第二半导体管芯的表面上在所述第二导电通孔上面形成第二接触焊盘;以及
通过热压将所述第一接触焊盘接合至所述第二接触焊盘。
3.权利要求1所述的方法,其中,提供所述互连结构包括:
在所述第二半导体管芯的表面上并与所述第一导电通孔对准形成接触焊盘;以及
在所述接触焊盘与所述第一导电通孔之间设置导电凸块。
4.权利要求1所述的方法,还包括,在所述第一半导体管芯上面设置所述第二半导体管芯,同时所述第一半导体管芯保持作为第一半导体晶片的部分。
5.权利要求4所述的方法,还包括,在所述第一半导体管芯上面设置所述第二半导体管芯,同时所述第二半导体管芯保持作为第二半导体晶片的部分。
6.一种制造半导体装置的方法,包括:
提供包括第一保护电路的第一半导体管芯;
在所述第一半导体管芯上面设置包括第二保护电路的第二半导体管芯,其中所述第一保护电路和第二保护电路并联电耦合;
将密封剂沉积在所述第一半导体管芯和第二半导体管芯上面以创建第一半导体封装;
提供第二半导体封装;以及
将所述第二半导体封装电耦合到所述第一半导体封装,其中发生到所述第一半导体封装的瞬变情况共同地通过所述第一保护电路和所述第二保护电路放电,以保护所述第二半导体封装免遭所述瞬变情况。
7.权利要求6所述的方法,还包括,将所述第一半导体管芯和第二半导体管芯设置在引线框架上面,其中所述第一保护电路和第二保护电路并联电耦合在所述引线框架的第一端子与所述引线框架的第二端子之间。
8.权利要求6所述的方法,还包括,使用热压将所述第一半导体管芯接合至所述第二半导体管芯。
9.权利要求6所述的方法,还包括:
在所述第一半导体管芯中形成导电通孔;
对所述第一半导体管芯进行背面研磨以暴露所述导电通孔;以及
将所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯上面,其中所述第二半导体管芯的接触焊盘与所述导电通孔对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造