[发明专利]一种半导体装置在审
| 申请号： | 201710226683.6 | 申请日： | 2017-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108695373A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 导电材料 峰值电场 多晶硅 漂移层 绝缘层 导电类型半导体 金属 导通电阻 沟槽侧壁 绝缘材料 底点 制造 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为高浓度掺杂第一导电半导体材料；
漂移层，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料；
多个沟槽，位于衬底层之上贯穿漂移层，沟槽侧壁设置绝缘材料层，在沟槽内上部和下部设置金属或多晶硅，沟槽内上部和下部设置金属或多晶硅之间通过绝缘材料隔离，沟槽内下部金属或多晶硅与衬底层相连；
肖特基势垒结，位于沟槽之间漂移层表面；
第二导电半导体材料，位于漂移层与沟槽之间，第二导电半导体材料上部不与肖特基势垒结接触，第二导电半导体材料下部低于沟槽内下部设置金属或多晶硅上表面；
上表面电极金属，连接肖特基势垒结和沟槽内上部金属或多晶硅；
下表面电极金属，位于衬底层背面。
2.一种半导体装置，其特征在于：包括：
衬底层，为高浓度掺杂第一导电半导体材料；
漂移层，位于衬底层之上，为第一导电半导体材料；
多个沟槽，位于衬底层之上贯穿漂移层，沟槽侧壁设置绝缘材料层，在沟槽内上部和下部设置金属或多晶硅，沟槽内上部和下部设置金属或多晶硅之间通过绝缘材料隔离，沟槽内下部金属或多晶硅与衬底层相连；
PN结，位于沟槽之间漂移层表面；
第二导电半导体材料，位于漂移层与沟槽之间，第二导电半导体材料上部不与沟槽之间漂移层表面PN结界面接触，第二导电半导体材料下部低于沟槽内下部设置金属或多晶硅上表面。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述沟槽内上部设置金属或多晶硅作为独立触发电极。
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