[发明专利]基板处理装置

说明书

一种基板处理装置，能降低将基板从弹性膜上剥离所需的时间的偏差。该基板处理装置包括：基板保持部，该基板保持部对基板进行保持；压力调节器，该压力调节器对供给至弹性膜内的气体的压力进行调节；控制部，该控制部对压力调节器进行控制，并且为了将基板从弹性膜上剥离而改变供给至弹性膜内的气体的压力。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置。

背景技术

在基板处理装置(例如化学机械性研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)装置)中，通过朝基板保持部(也称为顶环)的弹性膜(也称为隔膜)内供给一定压力的气体(例如氮气)，使弹性膜膨胀，以将吸附于弹性膜的基板(例如晶片)剥离(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-258639号公报

然而，因基板的种类(例如膜种)不同而导致基板朝弹性膜的粘接力不同，因此，存在因基板的种类不同而导致从弹性膜剥离基板所需的时间(以下也称为基板释放时间)发生变动这样的问题。根据情形，基板有时也不会从弹性膜脱离。另外，还存在以下问题：当基板对弹性膜的粘接力较强时，即便弹性膜膨胀，基板也不会剥离而对基板施加物理性的应力。根据情形，有时因物理性的应力而导致基板开裂。

发明内容

本发明鉴于上述问题而作，其目的在于提供一种能降低从弹性膜剥离基板所需的时间的偏差的基板处理装置。

本发明第一技术方案的基板处理装置包括：基板保持部，该基板保持部对基板进行保持；压力调节器，该压力调节器对供给至所述基板保持部的弹性膜内的气体的压力进行调节；控制部，该控制部对所述压力调节器进行控制，并且为了将所述基板从所述弹性膜剥离而改变供给至所述弹性膜内的气体的压力。

根据该结构，通过改变弹性膜内的压力而控制弹性膜的膨胀的速度，能以与基板朝弹性膜的粘接力对应的速度使弹性膜膨胀。由此，无论基板朝弹性膜的粘接力如何，都能降低基板释放时间的偏差。另外，通过改变弹性膜内的压力，能变更为与基板相对应的适当压力，因此，能降低施加于基板的应力。

本发明第二技术方案的基板处理装置是在第一技术方案的基板处理装置的基础上，所述控制部根据所述基板保持部当前保持的基板的种类对供给至所述弹性膜的气体的压力进行控制。

根据该结构，因基板的粘接力不同而导致弹性膜的膨胀时间变化，但通过按种类不同的每个基板设为最佳的压力，能控制弹性膜的膨胀状况而使膨胀时间均匀化。因此，能降低每个基板种类的基板释放时间的偏差。

本发明第三技术方案的基板处理装置是在第二技术方案的基板处理装置的基础上，所述控制部根据所述基板保持部当前保持的基板的膜种对供给至所述弹性膜的气体的压力进行控制。

根据该结构，因基板的粘接力不同而导致弹性膜的膨胀时间变化，但通过按膜种不同的每个基板设为最佳的压力，能控制弹性膜的膨胀状况而使膨胀时间均匀化。因此，能降低每个基板膜种的基板释放时间的偏差。

本发明第四技术方案的基板处理装置是在第一技术方案至第三技术方案中任一技术方案的基板处理装置的基础上，所述控制部阶段性地变更所述气体的压力。

根据该结构，即便是对弹性膜的粘接力较强的基板，通过阶段性地变更气体的压力，也能降低对基板的物理性的应力。另外，通过阶段性地变更气体的压力，能降低基板释放时间的偏差。

本发明第五技术方案的基板处理装置是在第四技术方案的基板处理装置的基础上，所述基板处理装置还包括：释放喷嘴，该释放喷嘴能喷出加压流体；以及位置检测部，该位置检测部对吸附于所述弹性膜的基板的位置进行检测，在所述基板的位置变为能从所述释放喷嘴朝所述基板的背面喷出加压流体的位置的情况下，所述控制部变更所述气体的压力。