[发明专利]功率半导体器件及其缓冲电路有效

专利信息
申请号: 201710206579.0 申请日: 2017-03-31
公开(公告)号: CN108667441B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 毛赛君;斯蒂芬·施罗德;史经奎;徐贺;马吕斯·梅希林斯基;瞿博;苑志辉;张颖奇;沈捷 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H03K17/081 分类号: H03K17/081;H03K17/567;H03K17/687;H03K17/72
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 郑浩;李啸
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体器件 及其 缓冲 电路
【权利要求书】:

1.一种用于开关的缓冲电路,包括:

静态缓冲单元,其并联于所述开关,用于当所述开关处于导通或关断的状态下以平衡所述开关之两端的静态均压;以及

动态缓冲单元,用于当所述开关处于导通或关断的过程中以平衡所述开关之两端的动态均压,所述动态缓冲单元包括:

动态均压电容器,其并联于所述开关且所述动态均压电容器的电容与电压之间存在关系;和

控制器,用于将所述动态均压电容器的所述电容控制在既定的工作区域,所述既定的工作区域为电容将随着所述开关之两端的电压的增加而上升:

其特征在于,所述控制器包括:

接收器,用于接收所述开关之两端的电压;

计算器,用于根据所述动态均压电容器的所述电容与所述电压之间的所述关系,基于所接收的所述开关之两端的电压,以确定所述动态均压电容器的所述电容;以及

调节器,用于当所确定的所述动态均压电容器的电容超出所述既定的工作区域时,以调节被提供至所述开关的门驱动信号使得所述动态均压电容器的所述电容处于所述既定的工作区域。

2.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述动态均压电容器被控制在0nF至100nF的范围内工作。

3.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述动态缓冲单元还包括:

阻尼电阻器,其串联于所述动态均压电容器,用于阻尼所述开关之两端的电流振荡。

4.根据权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述静态缓冲单元包括至少一个静态均压电阻器。

5.一种功率半导体器件,包括:

至少两个相串联的开关;以及

至少两个缓冲电路,其中所述至少两个缓冲电路中的每个缓冲电路并联于所述至少两个相串联的开关之一,并且所述至少两个缓冲电路中的每个缓冲电路包括:

静态缓冲单元,其并联于所述开关,用于当所述开关处于导通或关断的状态下以平衡所述开关之两端的静态均压;以及

动态缓冲单元,用于当所述开关处于导通或关断的过程中以平衡所述开关之两端的动态均压,所述动态缓冲单元包括:

动态均压电容器,其并联于所述开关且所述动态均压电容器的电容与电压之间存在关系;和

控制器,用于将所述动态均压电容器的所述电容控制在既定的工作区域,所述既定的工作区域为电容将随着所述开关之两端的电压的增加而上升;

其特征在于,所述控制器包括:

接收器,用于接收所述开关之两端的电压;

计算器,用于基于所接收的所述开关之两端的电压,以确定所述动态均压电容器的所述电容;以及

调节器,用于当所确定的所述动态均压电容器的电容超出所述既定的工作区域时,以调节被提供至所述开关的门驱动信号。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件,其特征在于,所述动态均压电容器被控制在0nF至100nF的范围内工作。

7.根据权利要求5所述的功率半导体器件,其特征在于,所述动态缓冲单元还包括:

阻尼电阻器,其串联于所述动态均压电容器,用于阻尼所述开关之两端的电流振荡。

8.根据权利要求5所述的功率半导体器件,其特征在于,所述静态缓冲单元包括至少一个静态均压电阻器。

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