[发明专利]扩展装置有效
申请号: | 201710197604.3 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN107275256B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 服部笃;植木笃;武藤荣 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;B26F3/16;B26D7/01 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扩展 装置 | ||
提供一种扩展装置,使粘合带均匀地收缩。扩展装置具有:框架保持构件(32);保持工作台(33),其具有对粘合带(110)的粘贴有晶片(10)的晶片保持区域(111)进行吸引保持的保持面(332a),粘合带安装在框架(100)上;进退构件(34),其使框架保持构件和保持工作台在基准位置与扩展位置之间相对移动;以及加热构件(35),其使通过进退构件而在晶片保持区域与框架之间发生了扩展的粘合带收缩,保持工作台在保持面的外周具有扩展辅助辊(334),扩展辅助辊对晶片保持区域与框架之间的粘合带起作用,扩展辅助辊是仅按照与粘合带在保持面的径向上扩展时所移动的方向一致的朝向旋转的单向辊。
技术领域
本发明涉及扩展装置。
背景技术
公知当将半导体晶片以对半导体晶片照射激光光线而形成的改质层为起点分割成各个器件时、或将粘贴在半导体晶片上的被称为DAF(Die Attach Film:粘片膜)带的粘合带按照各个器件进行断裂时使用的扩展装置(例如,参照专利文献1、专利文献2)。扩展装置使晶片保持区域在从框架保持构件突出的方向上移动而将其定位在扩展位置,对粘合带进行扩展。之后,使突出复原而将晶片保持区域定位在基准位置,对在晶片的周围发生了松弛的粘合带进行加热而使其收缩,使粘合带成为仅晶片保持区域发生了扩展的状态。
专利文献1:日本特开2007-123658号公报
专利文献2:日本特开2013-118326号公报
但是,在使突出复原而从扩展位置移动至基准位置时,由于扩展辅助辊向与扩展时相反的方向旋转,所以会辅助已扩展的粘合带向晶片的方向移动。由此,有时粘合带会被卷入到扩展辅助辊与保持面之间,加热构件的加热效果难以波及。其结果是,粘合带的被卷入的部分不收缩而无法消除松弛状态。当在该状态下使晶片从保持工作台脱离时,担心因粘合带未收缩的部分而导致晶片保持区域收缩,或者粘合带产生松弛从而器件彼此摩擦,从而器件破损。
发明内容
本发明是鉴于上述而完成的,其目的在于,提供扩展装置,能够使粘合带均匀地收缩。
为了解决上述的课题而达成目的,本发明的扩展装置对具有热收缩性和扩展性的粘合带进行扩展,该粘合带覆盖环状的框架的开口部而被安装,并粘贴有晶片,该扩展装置的特征在于,具有:框架保持构件,其对该框架进行保持;保持工作台,其具有对安装在该框架保持构件所保持的该框架上的粘合带的粘贴有该晶片的晶片保持区域进行吸引保持的保持面;进退构件,其在与该保持面垂直的轴向上使该框架保持构件和该保持工作台在基准位置与该保持面从该框架保持构件突出了的扩展位置之间相对移动;以及加热构件,其使通过该进退构件而在该晶片保持区域与该框架之间发生了扩展的该粘合带收缩,该保持工作台在该保持面的外周具有扩展辅助辊,该扩展辅助辊对该晶片保持区域与该框架之间的该粘合带起作用,该扩展辅助辊是仅按照与该粘合带在该保持面的径向上扩展时所移动的方向一致的朝向旋转的单向辊。
根据本申请发明的扩展装置,能够使粘合带均匀地收缩。
附图说明
图1是示出借助本实施方式的扩展装置而扩展的晶片的立体图。
图2是示出在图1所示的晶片中形成改质层时所使用的激光加工装置的立体图。
图3是说明利用激光加工装置在晶片中形成改质层的改质层形成工序的说明图。
图4是说明利用激光加工装置在晶片中形成改质层的改质层形成工序的说明图。
图5是说明利用激光加工装置在晶片中形成改质层的改质层形成工序的说明图。
图6是示出将通过改质层形成工序而形成了改质层的晶片粘贴在粘合带的正面上的状态的立体图。
图7是本实施方式的扩展装置的分解立体图。
图8是示出本实施方式的扩展装置的保持工作台处于基准位置的状态的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造