[发明专利]存储器系统、及其读取方法与写入方法在审

专利信息
申请号: 201710197249.X 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN108664209A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 王思忠 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器阵列 用户数据 读取 存储器控制器 存储器系统 存储器装置 电性连接 读取命令 主机接口 主控制器 复原 写入 请求存储 控制表 位信息 同位 存储 传递 更新
【说明书】:

一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。存储器系统包括一主控制器、一存储器控制器及一存储器阵列。存储器控制器电性连接于主控制器。存储器阵列电性连接于存储器控制器。存储器阵列包括多个存储器装置。一同位信息及一控制表存储在存储器阵列。读取方法包括以下步骤:自一主机接口接收一读取命令,读取命令用以请求存储在存储器阵列的一用户数据。当用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时,根据同位信息,复原(recover)用户数据。传递已复原的用户数据至主机接口,并同时更新(refresh)错误的用户数据。

技术领域

发明是有关于一种存储器系统、一读取方法及一写入方法,且特别是有关于一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。

背景技术

近年来,存储装置可以应用独立磁盘备援阵列技术(Redundant Array ofIndependent Disks,RAID)来避免磁盘损坏造成的数据损失。在另一方面,许多的应用采用了如NAND闪存(NAND flash)来实现RAID技术,以增强其效果。

由于NAND闪存具有干扰(disturbance)及保持力(retention)的问题,NAND闪存的效果将长时间使用后将产生衰退。

再者,在写入大量数据后,NAND闪存将会耗损(wear out),而造成没有空间能够更新数据或者造成数据的错误。

发明内容

本发明系有关于一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。

根据本发明的第一方面,提出一种存储器系统的读取方法。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。存储器阵列电性连接于存储器控制器。一同位信息存储在存储器阵列。存储器阵列包括多个存储器装置。读取方法包括以下步骤:自一主机接口接收一读取命令,读取命令用以请求存储在存储器阵列的一用户数据。当用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时,根据同位信息,复原(recover)用户数据。传递已复原的用户数据至主机接口,并更新(refresh)用户数据。

根据本发明的第二方面,提出一种存储器系统的写入方法。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。存储器阵列电性连接于存储器控制器。一同位信息存储在存储器阵列中。存储器阵列包括多个存储器装置。写入方法包括以下步骤:接收一写入命令。写入命令用以写入一用户数据于存储器阵列。分配存储器阵列的多个页面(page)来存储用户数据。若被分配的这些页面在这些存储器装置的其中之一无法进行存取,则除了无法进行存取的存储器装页面外,在这些页面存储用户数据及其对应的同位信息。执行一升温修复程序(heating repair operation)于无法进行存取的存储器装置。在升温修复程序完成后,回存用户数据至存储器阵列。

根据本发明的第三方面,提出一种存储器系统。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。一同位信息存储在存储器阵列,存储器阵列包括多个存储器装置。控制表包括一更新名单。当一用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时,具有用户数据的错误的存储器装置的一标识符记录在更新名单。

为了对本发明的上述及其他方面有更好的了解,下文特举优选实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:

附图说明

图1绘示根据一实施例的一存储器系统的示意图。

图2及图3说明存储器系统的读取方法的一实施例。

图4说明存储器系统的读取方法的另一实施例。

图5及图6说明存储器系统的写入方法的一实施例。

图7绘示根据一实施例的存储器系统的读取方法的流程图。

图8绘示根据一实施例的存储器系统的写入方法的流程图。

图9绘示图8的步骤S218的流程图。

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