[发明专利]存储器系统、及其读取方法与写入方法在审
申请号: | 201710197249.X | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN108664209A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 王思忠 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器阵列 用户数据 读取 存储器控制器 存储器系统 存储器装置 电性连接 读取命令 主机接口 主控制器 复原 写入 请求存储 控制表 位信息 同位 存储 传递 更新 | ||
一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。存储器系统包括一主控制器、一存储器控制器及一存储器阵列。存储器控制器电性连接于主控制器。存储器阵列电性连接于存储器控制器。存储器阵列包括多个存储器装置。一同位信息及一控制表存储在存储器阵列。读取方法包括以下步骤:自一主机接口接收一读取命令,读取命令用以请求存储在存储器阵列的一用户数据。当用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时,根据同位信息,复原(recover)用户数据。传递已复原的用户数据至主机接口,并同时更新(refresh)错误的用户数据。
技术领域
本发明是有关于一种存储器系统、一读取方法及一写入方法,且特别是有关于一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。
背景技术
近年来,存储装置可以应用独立磁盘备援阵列技术(Redundant Array ofIndependent Disks,RAID)来避免磁盘损坏造成的数据损失。在另一方面,许多的应用采用了如NAND闪存(NAND flash)来实现RAID技术,以增强其效果。
由于NAND闪存具有干扰(disturbance)及保持力(retention)的问题,NAND闪存的效果将长时间使用后将产生衰退。
再者,在写入大量数据后,NAND闪存将会耗损(wear out),而造成没有空间能够更新数据或者造成数据的错误。
发明内容
本发明系有关于一种存储器系统、及其读取方法与写入方法。
根据本发明的第一方面,提出一种存储器系统的读取方法。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。存储器阵列电性连接于存储器控制器。一同位信息存储在存储器阵列。存储器阵列包括多个存储器装置。读取方法包括以下步骤:自一主机接口接收一读取命令,读取命令用以请求存储在存储器阵列的一用户数据。当用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时,根据同位信息,复原(recover)用户数据。传递已复原的用户数据至主机接口,并更新(refresh)用户数据。
根据本发明的第二方面,提出一种存储器系统的写入方法。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。存储器阵列电性连接于存储器控制器。一同位信息存储在存储器阵列中。存储器阵列包括多个存储器装置。写入方法包括以下步骤:接收一写入命令。写入命令用以写入一用户数据于存储器阵列。分配存储器阵列的多个页面(page)来存储用户数据。若被分配的这些页面在这些存储器装置的其中之一无法进行存取,则除了无法进行存取的存储器装页面外,在这些页面存储用户数据及其对应的同位信息。执行一升温修复程序(heating repair operation)于无法进行存取的存储器装置。在升温修复程序完成后,回存用户数据至存储器阵列。
根据本发明的第三方面,提出一种存储器系统。存储器系统包括一存储器控制器及一存储器阵列。一同位信息存储在存储器阵列,存储器阵列包括多个存储器装置。控制表包括一更新名单。当一用户数据在这些存储器装置的其中之一发生错误时,具有用户数据的错误的存储器装置的一标识符记录在更新名单。
为了对本发明的上述及其他方面有更好的了解,下文特举优选实施例,并配合所附附图,作详细说明如下:
附图说明
图1绘示根据一实施例的一存储器系统的示意图。
图2及图3说明存储器系统的读取方法的一实施例。
图4说明存储器系统的读取方法的另一实施例。
图5及图6说明存储器系统的写入方法的一实施例。
图7绘示根据一实施例的存储器系统的读取方法的流程图。
图8绘示根据一实施例的存储器系统的写入方法的流程图。
图9绘示图8的步骤S218的流程图。
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