[发明专利]玻璃基芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，所述玻璃基芯片内部具有微通道，所述微通道包括若干第一微通道，所述第一微通道为封闭的腔室；

所述制作方法包括如下步骤：

获取底玻璃片和盖玻璃片；

将所述盖玻璃片贴合于所述底玻璃片后形成所述微通道，得贴合片；

将所述贴合片转移至加热装置中，以0.5～2℃/min的升温速率升温至玻璃的退火温度以上；然后再经退火降温工序，得所述玻璃基芯片；

所述升温的方法为：以0.9～1.1℃/min的升温速率升温至545～555℃，并在545～555℃下保温55～65min；然后在55～65min内升温至595～605℃，并在595～605℃下保温175～185min。

2.根据权利要求1所述的玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，所述升温速率为0.8～1.5℃/min。

3.根据权利要求1所述的玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，所述退火降温工序为以1～3℃/min的平均速率降至室温。

4.根据权利要求1所述的玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，所述微通道还包括若干第二微通道；所述第二微通道具有若干与大气相连通的开口。

5.根据权利要求1-4任一项所述的玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，所述底玻璃片的表面刻蚀有凹陷部，将所述盖玻璃片贴合于所述表面后，该凹陷部与所述盖玻璃片之间形成所述微通道；

获取所述底玻璃片的方法包括如下步骤：

获取基片，所述基片上刻蚀有基片凹陷部，并开设有与所述基片凹陷部相连通的进液口；所述基片凹陷部与所述底玻璃片表面刻蚀的凹陷部相对应；

将所述基片与玻璃片进行可逆键合，所述基片凹陷部与玻璃片的表面形成腔室；

由所述进液口向所述腔室注入刻蚀液，对所述玻璃片进行刻蚀，即在所述玻璃片的表面形成所述凹陷部；

拆去所述基片，即得所述底玻璃片。

6.根据权利要求5所述的玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，所述刻蚀 液包括体积比为1:1～3:15～25的氢氟酸、硝酸和水。

7.根据权利要求5所述的玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，所述基片的材料为聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯中的一种或多种组合。

8.根据权利要求5-7任一项所述的玻璃基芯片的制作方法，其特征在于，将所述基片与所述玻璃片进行可逆键合后，对所得芯片进行加热烘烤，烘烤温度为60～70℃，时间为1～3小时。

9.权利要求1-8任一项所述的玻璃基芯片的制作方法制作得到的玻璃基芯片。