[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质

说明书

控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。控制装置控制基板形成第一膜后形成第二膜而形成层叠膜的基板处理装置的动作，具有：制程存储部，存储包括形成第一膜的第一成膜条件和形成第二膜的第二成膜条件的成膜条件；模型存储部，存储包括表示第一成膜条件对第一膜特性影响的第一工艺模型和表示第二成膜条件对第二膜特性影响的第二工艺模型的工艺模型；以及控制部，基于包括利用制程存储部存储的第一成膜条件和第二成膜条件形成第一膜和第二膜的层叠膜的特性的测定值和模型存储部存储的第二工艺模型调整第二成膜条件，基于利用第一成膜条件和调整后的第二成膜条件形成层叠膜的情况下预测层叠膜特性的预测值判定是否要调整第一成膜条件。

本申请主张2016年03月28日申请的日本申请特愿第2016-063220号的优先权，并在此引用该公开的全部内容。

技术领域

本公开涉及控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。

背景技术

在半导体装置的制造中，在半导体晶圆(晶圆)等基板上形成具有规定的特性的膜的情况下，预先计算能够得到具有规定的特性的膜的最佳成膜条件，利用计算出的最佳成膜条件来在基板上进行成膜。在计算最佳成膜条件的情况下，需要与半导体制造装置、半导体工艺相关的知识、经验，有时无法容易地计算最佳成膜条件。

以往，作为计算最佳成膜条件的系统，已知一种操作者仅输入目标膜厚就由控制部计算接近目标膜厚的最佳温度的热处理系统(例如，参照日本特开2013-207256号)

发明内容

本公开的一个方式所涉及的控制装置是一种对在基板上形成第一膜之后形成第二膜来形成层叠膜的基板处理装置的动作进行控制的控制装置，其具有：制程存储部，其存储成膜条件，该成膜条件包括形成所述第一膜的第一成膜条件和形成所述第二膜的第二成膜条件；模型存储部，其存储工艺模型，该工艺模型包括表示所述第一成膜条件对所述第一膜的特性产生的影响的第一工艺模型和表示所述第二成膜条件对所述第二膜的特性产生的影响的第二工艺模型；以及控制部，其基于包括利用所述制程存储部中存储的所述第一成膜条件和所述第二成膜条件形成的所述第一膜和所述第二膜的所述层叠膜的特性的测定值和所述模型存储部中存储的所述第二工艺模型来调整所述第二成膜条件，基于利用所述第一成膜条件和调整后的所述第二成膜条件形成所述层叠膜的情况下的预测的所述层叠膜的特性的预测值来判定是否要调整所述第一成膜条件。

上述简述仅用于说明，在任何方式中均不是企图限制本发明。除了上述说明方式、实施例以及特征以外，通过参照附图和以下的详细说明也能够明确追加的方式、实施例以及特征。

附图说明

图1是表示本实施方式的基板处理装置的一例的概要结构图。

图2是表示本实施方式的控制装置的一例的概要结构图。

图3是用于说明本实施方式的基板处理系统的动作的一例的流程图

图4是用于说明层叠膜的预测膜厚与层叠膜的目标膜厚的关系的图。

图5是用于说明计算D-poly膜的目标膜厚的方法的图。

具体实施方式

在以下的详细说明中，参照形成说明书的一部分的所附附图。详细说明、附图以及权利要求所记载的说明的实施例并非企图限制本发明。能够不脱离此处示出的本公开的思想或范围地使用其它实施例或进行其它变形。

在半导体装置的制造中，有时在同一处理容器内以使成膜气体的种类等成膜条件不同的方式来进行连续成膜，由此在基板上形成将多个膜层叠而成的层叠膜。在这种层叠膜中，例如构成层叠膜的各个膜的折射率的差异小，因此难以在层叠后的状态下测定各个膜的膜厚。