[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质

权利要求书

1.一种控制装置，对在基板上形成第一膜之后形成第二膜来形成层叠膜的基板处理装置的动作进行控制，该控制装置具有：

制程存储部，其存储成膜条件，该成膜条件包括形成所述第一膜的第一成膜条件和形成所述第二膜的第二成膜条件；

模型存储部，其存储工艺模型，该工艺模型包括表示所述第一成膜条件对所述第一膜的特性产生的影响的第一工艺模型和表示所述第二成膜条件对所述第二膜的特性产生的影响的第二工艺模型；以及

控制部，其基于包括利用所述制程存储部中存储的所述第一成膜条件和所述第二成膜条件形成的所述第一膜和所述第二膜的所述层叠膜的特性的测定值和所述模型存储部中存储的所述第二工艺模型来调整所述第二成膜条件，基于利用所述第一成膜条件和调整后的所述第二成膜条件形成所述层叠膜的情况下的预测的所述层叠膜的特性的预测值来判定是否要调整所述第一成膜条件，

其中，所述控制部在判定为要调整所述第一成膜条件的情况下，基于包括利用所述制程存储部中存储的所述第一成膜条件和所述第二成膜条件形成的所述第一膜和所述第二膜的所述层叠膜的特性的测定值和所述模型存储部中存储的所述第一工艺模型来调整所述第一成膜条件，使得所述层叠膜的特性的预测值与所述层叠膜的特性的目标值一致。

2.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

在所述层叠膜的特性的预测值没有满足作为目标的所述层叠膜的特性的情况下，所述控制部判定为要调整所述第一成膜条件。

3.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

所述控制部在判定为要调整所述第一成膜条件的情况下，通知需要调整所述第一成膜条件。

4.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

所述控制部在判定为要调整所述第一成膜条件的情况下，控制所述基板处理装置的动作，使得利用调整后的所述第一成膜条件和调整后的所述第二成膜条件来形成所述层叠膜。

5.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

所述层叠膜是在所述基板处理装置中连续地形成的膜。

6.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

所述第一膜和所述第二膜是包含同一元素的膜。

7.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

所述层叠膜的特性是膜厚。

8.根据权利要求1所述的控制装置，其特征在于，

所述层叠膜的特性是杂质浓度。

9.一种基板处理系统，具有：

基板处理装置，其在基板上形成第一膜之后形成第二膜来形成层叠膜；以及

控制装置，其控制所述基板处理装置的动作，

其中，所述控制装置具有：

制程存储部，其存储成膜条件，该成膜条件包括形成所述第一膜的第一成膜条件和形成所述第二膜的第二成膜条件；

模型存储部，其存储工艺模型，该工艺模型包括表示所述第一成膜条件对所述第一膜的特性产生的影响的第一工艺模型和表示所述第二成膜条件对所述第二膜的特性产生的影响的第二工艺模型；以及

控制部，其基于包括利用所述制程存储部中存储的所述第一成膜条件和所述第二成膜条件形成的所述第一膜和所述第二膜的所述层叠膜的特性的测定值和所述模型存储部中存储的所述第二工艺模型来调整所述第二成膜条件，基于利用所述第一成膜条件和调整后的所述第二成膜条件形成所述层叠膜的情况下的预测的所述层叠膜的特性的预测值来判定是否要调整所述第一成膜条件，

其中，所述控制部在判定为要调整所述第一成膜条件的情况下，基于包括利用所述制程存储部中存储的所述第一成膜条件和所述第二成膜条件形成的所述第一膜和所述第二膜的所述层叠膜的特性的测定值和所述模型存储部中存储的所述第一工艺模型来调整所述第一成膜条件，使得所述层叠膜的特性的预测值与所述层叠膜的特性的目标值一致。