[发明专利]智能功率模块、智能功率模块的制备方法和用电设备

权利要求书

1.一种智能功率模块，所述智能功率模块设有基板，所述基板上设有电路布线区，所述电路布线区的指定区域为焊接区，其特征在于，所述智能功率模块包括：

多个MOSFET功率器件，多个所述MOSFET功率器件的底侧面焊接于所述焊接区中的器件区，多个所述MOSFET功率器件之间通过所述电路布线区或邦定线连接，所述MOSFET功率器件内设置有快速恢复二极管；

栅极驱动器件，设于每个所述MOSFET功率器件的顶侧面，通过金属连线桥接至所述电路布线区；

第一绝缘层，设于所述基板和所述MOSFET功率器件之间；

第二绝缘层，设于所述栅极驱动器件和所述MOSFET功率器件之间；

所述第二绝缘层内掺杂有散热颗粒，所述散热颗粒的形状包括球形和角型。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述MOSFET功率器件包括：

MOSFET管；

体二极管，串联连接于所述MOSFET管的源极和漏极之间。

3.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

封装外壳，半包覆于所述基板的正侧面，或全包覆于整个所述基板，以完全覆盖所述MOSFET功率器件和所述栅极驱动器件。

4.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

载具，套设于所述基板的外侧，所述载具上设有引脚，所述引脚焊接于所述焊接区中的引脚区。

5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

阻焊层，设于所述电路布线区上除所述焊接区以外的区域。

6.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

合金层，设于所述引脚的表层，所述合金层的厚度范围为0.1～10微米。

7.根据权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，

所述合金层的厚度为5微米。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，

所述邦定线的线宽范围为350～400微米。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，

所述金属连线的线宽范围为38～200微米。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，

所述电路布线区的厚度为0.0175毫米或0.035毫米或0.07毫米。

11.一种智能功率模块的制备方法，其特征在于，包括：

在形成第一绝缘层的基板上形成电路布线区，所述电路布线区的指定区域为焊接区；

在所述电路布线区上不需要后续焊接的区域形成阻焊层；

在所述焊接区中的器件区焊接MOSFET功率器件，所述MOSFET功率器件内设置有快速恢复二极管；

在所述MOSFET功率器件的顶侧面形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层的上侧面粘合栅极驱动器件；

在所述栅极驱动器件和所述电路布线区之间形成金属连线以桥接；

在所述第二绝缘层的上侧面粘合栅极驱动器件，具体包括以下步骤：

采用点胶机在所述第二绝缘层的上侧面形成点胶层；

将所述栅极驱动器件通过所述点胶层粘合至所述MOSFET功率器件的顶侧面；

在粘合所述栅极驱动器件后，对所述点胶层进行150℃温度下的固化处理。

12.根据权利要求11所述的智能功率模块的制备方法，其特征在于，还包括：

将载具套设于所述基板的外侧；

将载具的引脚焊接于所述焊接区中的引脚区。