[发明专利]半导体结构表面处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构表面处理方法。

背景技术

半导体制造技术需要在半导体结构上进行多种不同的物理和化学工艺，光刻(Litho)制程则是半导体制造技术最重要的制程之一。在整个集成电路的制造过程当中可能需要进行多次光刻工艺，因此光刻胶涂布不理想也会经常发生，例如涂胶失败，造成光刻胶层残留缺陷或均匀性差，或者线宽和上下层对准层存在较大误差等，这时就需要对半导体结构的表面进行返工(rework)。

发明人发现，现有的半导体结构表面处理过程中所采用的方式虽然能去除掉光刻胶层残留，但也会对半导体结构表面带来损伤，使半导体结构表面被腐蚀，造成膜层表面形貌粗糙，悬键大量增加，致使一些细小颗粒物或气体等吸附在半导体结构表面，为后续制程引入杂质或造成空穴缺陷等。同时，现有的半导体结构表面处理也往往会使半导体结构表面产生大量亲水基团如-OH，使半导体结构表面由疏水性变化为亲水性，导致之后涂布的光刻胶与半导体结构表面的附着力不佳，影响最终图形的形成和精度大小。

因此，如何更好的完成半导体结构表面处理是本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构表面处理方法，解决现有技术中给半导体结构表面带来损伤的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：

提供一半导体结构；所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；

采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；

将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；

采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，所述第一等离子体处理方式的处理气体为氧气。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，所述第一等离子体处理方式的工艺条件包括：温度为260℃～290℃。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，所述第二等离子体处理方式的处理气体为一氧化二氮和氮气。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，所述第二等离子体处理方式的工艺条件包括：温度为350℃～450℃，时间为－，s～3，s。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，所述清洁工艺包括清洗处理和干燥处理。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，所述清洗处理包括：采用含有硫酸和过氧化氢的溶液清洗所述半导体结构的表面；采用含有氢氧化铵和过氧化氢的溶液清洗所述半导体结构的表面；所述干燥处理包括：采用异丙醇溶剂干燥所述半导体结构的表面。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，还包括：在采用第二等离子体处理方式处理后的半导体结构表面进行涂布光刻胶工艺。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，所述薄膜层的材料为氮氧化硅或氮化硅。

可选的，在所述半导体结构表面处理方法中，材料为氮氧化硅的所述薄膜层的厚度为30nm～40nm；材料为氮化硅的所述薄膜层的厚度为20nm～50nm。

综上所述，在本发明提供的半导体结构表面处理方法中，在第一等离子体处理方式去除掉光刻胶以及完成清洁工艺后，通过第二等离子体处理方式可修复半导体结构表面形貌，并增加了薄膜层在后续工艺中的附着力，减少了产品缺陷，提高产品良率，同时可降低薄膜层悬键数量，使薄膜层表面的化学活性降低，提高薄膜层的抗腐蚀能力。

附图说明

图1是本发明实施例的半导体结构表面处理方法的流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。

如图1所示，本发明提供一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤：

S10：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；

S20：采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；

S30：将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；