[发明专利]集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法

权利要求书

1.一种集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装结构包括用电芯片及连接于所述用电芯片下方的功率传输芯片；所述功率传输芯片用于将外部电源的电压转换成所述用电芯片所需的多个电压，并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道；所述封装方法包括如下步骤：

提供一载体，并在所述载体上形成粘附层；

将所述功率传输芯片的有源元件与无源元件放置于所述粘附层上，其中，所述有源元件及无源元件具有焊盘的一面朝上；

在所述粘附层上形成覆盖所述有源元件与无源元件的塑封层，并对所述塑封层进行研磨，以暴露出所述焊盘；

形成多个上下贯穿所述塑封层的通孔，并在所述通孔中填充导电材料，得到导电柱；

在所述塑封层上形成所述功率传输芯片的再布线层，所述再布线层包括介电层及形成于所述介电层中的至少一层金属连线及至少一层导电栓；所述金属连线通过所述导电栓实现与所述有源元件、无源元件的焊盘及导电柱的电连接，且当所述介电层中形成有多层金属连线时，多层金属连线之间通过所述导电栓实现层间电连接，并提供多条对接所述用电芯片的供电轨道；

通过多个第一凸块结构将所述用电芯片与所述再布线层连接，实现所述用电芯片与多条所述供电轨道的对接；

去除所述载体及粘附层，暴露出所述导电柱下表面；

形成多个与所述导电柱连接的第二凸块结构。

2.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：所述外部电源的电压高于所述用电芯片所需的电压。

3.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：所述有源元件包括控制器及降压变换器；所述无源元件包括电容、电感和电阻。

4.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：通过多个第一凸块结构将所述用电芯片与所述再布线层连接之后，还包括通过底部填充胶填满所述用电芯片底部与所述再 布线层之间间隙的步骤，以及通过塑封材料将所述用电芯片周围包裹的步骤。

5.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：所述第一凸块结构包括微凸块；所述第二凸块结构包括球栅阵列焊球。

6.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：所述用电芯片为专用集成电路。

7.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：形成所述塑封层的方法包括压缩成型、传递模塑、液封成型、真空层压、旋涂中的任意一种或多种。

8.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括激光打孔、机械钻孔、反应离子刻蚀、纳米压印中的任意一种或多种。

9.根据权利要求1所述的集成有功率传输芯片的封装结构的封装方法，其特征在于：形成所述导电柱的方法包括电镀、化学镀、丝印、引线键合中的一种或多种。