[发明专利]衬底支撑板和包含其的薄膜沉积设备

说明书

本发明提供一种衬底支撑板和包含其的薄膜沉积设备。所述衬底支撑板可防止衬底的后表面上的沉积且可易于卸载所述衬底。所述衬底支撑板可包含：衬底安装部分；以及外围部分，其围绕所述衬底安装部分，且所述衬底安装部分的顶部表面的边缘部分可经阳极氧化，且所述衬底安装部分的所述顶部表面的中心部分可不经阳极氧化。

相关申请的交叉参考

本申请主张2016年3月17日于韩国知识产权局申请的韩国专利申请案第10-2016-0032079号的权益，其全部内容以参考方式并入本文。

技术领域

一或多个实施例涉及一种衬底支撑板，且更确切来说涉及一种衬底支撑板、一种包含所述衬底支撑板的薄膜沉积设备。

背景技术

当沉积半导体薄膜时，用于确定薄膜质量的各种因素当中的一个重要因素为工艺中的残余粒子的污染。

举例来说，在源气体与反应气体之间的快速切换循环的工艺(例如，原子层沉积(atomic layer deposition；ALD)工艺)中，未从反应器移除的气体(例如，源气体)仍可与另一气体(例如，反应气体)反应且可充当反应器中的污染物。污染物会渗透到衬底上的装置结构中，进而导致半导体装置的故障。

更详细地说，在工艺期间，源气体或反应气体会渗透到衬底与上面安装有衬底的晶座之间。因此，气体可保留，且所述气体会沉积在衬底的后表面上。在此情况下，形成于衬底上的装置可能被污染，且当衬底与晶座分离时，反应空间中的污染粒子会扩散且反应器也可能被污染。

发明内容

一或多个实施例包含一种可防止源气体或反应气体沉积在衬底的后表面上的衬底支撑板、一种包含所述衬底支撑板的薄膜沉积设备和一种使用所述衬底支撑板的薄膜沉积方法。

额外方面将在以下描述中得以部分地阐述，并且部分地，将从描述中显而易见，或者可通过对所呈现的实施例的实践而习得。

根据一或多个实施例，一种衬底支撑板包含：衬底安装部分；以及外围部分，其围绕所述衬底安装部分，其中所述衬底安装部分的顶部表面的边缘部分经阳极氧化，且所述衬底安装部分的所述顶部表面的中心部分不经阳极氧化。

所述衬底支撑板可进一步包含衬底支撑销孔。所述衬底支撑销孔可形成于所述中心部分中。

所述衬底安装部分可具有相对于所述外围部分的凹形。

所述经阳极氧化边缘部分可具有在约10μm到约100μm范围内的厚度。

所述中心部分的面积可小于待处理的目标衬底的面积。

绝缘层归因于阳极氧化而可形成于所述边缘部分的顶部表面上。所述绝缘层可包含氧化铝。

与所述顶部表面相对的底部表面的至少一部分可经阳极氧化。

根据一或多个实施例，一种薄膜沉积设备包含：反应器壁；气体注射装置；气体通道；气体流动控制装置；以及衬底支撑板，其中所述气体注射装置、所述气体通道和所述气体流动控制装置依序堆叠且提供在所述反应器壁中，其中所述衬底支撑板包括顶部表面、底部表面和侧表面，且绝缘层形成于所述衬底支撑板的所述顶部表面的至少一部分和所述底部表面的至少一部分上。

所述绝缘层可进一步形成于所述衬底支撑板的所述侧表面上。

所述绝缘层可从所述衬底支撑板的所述顶部表面突出。

由所述气体通道和所述气体注射装置供应的气体可被注射到所述衬底支撑板上的衬底上，其中所述所注射气体的至少一部分经由所述气体流动控制装置排出。所述衬底可被安置成与所述绝缘层重叠。

所述所注射气体可渗透到所述衬底与所述衬底支撑板之间的空间中以在所述衬底的后表面上形成薄膜。