[发明专利]衬底支撑板和包含其的薄膜沉积设备有效
申请号: | 201710158646.6 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN107201507B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 刘龙珉;孙宗源;崔丞佑;姜东锡 | 申请(专利权)人: | ASM知识产权私人控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 荷兰AP132*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支撑 包含 薄膜 沉积 设备 | ||
1.一种衬底支撑板,包括:
衬底安装部分;以及
外围部分,围绕所述衬底安装部分,
其中所述衬底安装部分的顶部表面的边缘部分经阳极氧化,且所述衬底安装部分的所述顶部表面的中心部分不经阳极氧化,使得所述衬底支撑板的金属层被暴露出来,
其中经阳极氧化的所述边缘部分与待处理的目标衬底重迭,
其中不经阳极氧化的所述中心部分的面积小于待处理的所述目标衬底的面积,且
其中被暴露的所述金属层朝向待处理的所述目标衬底。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑板,进一步包括衬底支撑销孔。
3.根据权利要求2所述的衬底支撑板,其中所述衬底支撑销孔形成于所述中心部分中。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑板,其中所述衬底安装部分具有相对于所述外围部分的凹形。
5.根据权利要求1所述的衬底支撑板,其中经阳极氧化的所述边缘部分具有在10μm到100μm的范围内的厚度。
6.根据权利要求1所述的衬底支撑板,其中所述边缘部分高于所述中心部分。
7.根据权利要求1所述的衬底支撑板,其中绝缘层归因于阳极氧化而形成于所述边缘部分的顶部表面上。
8.根据权利要求7所述的衬底支撑板,其中所述绝缘层包括氧化铝。
9.根据权利要求1所述的衬底支撑板,其中与所述顶部表面相对的底部表面的至少一部分经阳极氧化。
10.一种薄膜沉积设备,包括:
反应器壁;
气体注射装置;
气体通道;
气体流动控制装置;以及
衬底支撑板,衬底置于所述衬底支撑板上,
其中所述气体注射装置、所述气体通道和所述气体流动控制装置依序堆叠且提供在所述反应器壁中,
其中所述衬底支撑板包括顶部表面、底部表面和侧表面,且绝缘层形成于所述衬底支撑板的所述顶部表面的至少一部分和所述底部表面的至少一部分上,
其中金属层暴露在所述顶部表面的另一部分上,
其中所述衬底与所述绝缘层重迭,
其中被暴露的所述金属层的面积小于所述衬底的面积,且
其中被暴露的所述金属层朝向所述衬底。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中所述绝缘层进一步形成于所述衬底支撑板的所述侧表面上。
12.根据权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中所述绝缘层从所述衬底支撑板的所述顶部表面突出。
13.根据权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中由所述气体通道和所述气体注射装置供应的气体被注射到所述衬底支撑板上的所述衬底上,
其中所注射的所述气体的至少一部分经由所述气体流动控制装置排出到外部。
14.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备,其中所述绝缘层的顶部表面高于所述衬底支撑板的被暴露的所述金属层的顶部表面。
15.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备,其中所注射的所述气体渗透到所述衬底与所述衬底支撑板之间的空间中,以在所述衬底的后表面上形成薄膜。
16.根据权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中所述衬底支撑板包括衬底安装部分和围绕所述衬底安装部分的外围部分,
其中所述外围部分经由面密封接触所述反应器壁以形成反应空间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的