[发明专利]到栅极的完全自对准的接触

权利要求书

1.一种用于在半导体器件中形成一个或多个自对准栅极触点(560)的方法，包括：

向衬底(100)提供包括栅极介电层(420)和栅极电极的在第一横向上延伸的至少一个栅极堆叠(520)，以及在垂直于所述第一横向的第二横向上相对地涂覆所述至少一个栅极堆叠(520)的侧边的间隔体材料(320)，所述至少一个栅极堆叠(520)在所述衬底(100)中或所述衬底(100)上的有源区上方；

使所述至少一个栅极堆叠(520)的栅极电极相对于所述间隔体材料(320)选择性地凹陷，由此创建第一组凹陷腔；

用介电材料栅极盖(340)填充所述第一组凹陷腔；

相对于所述间隔体材料(320)选择性地蚀刻所述至少一个栅极堆叠(520)上方的至少一个通孔(920)，穿过所述介电材料栅极盖(340)，由此暴露所述栅极电极；

在所述至少一个通孔(920)中形成电连接所述栅极电极的栅极触点(560)；以及

移除所述至少一个栅极堆叠(520)的横向部分以在所述第一横向上分开所述至少一个栅极堆叠(520)，并用不同于所述间隔体材料的介电材料(330)替代移除的横向部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，向衬底(100)提供至少一个栅极堆叠(520)以及涂覆所述至少一个栅极堆叠(520)的侧边缘的间隔体材料(320)包括：

向衬底(100)提供至少一个虚设栅极堆叠(510)；

用间隔体材料(320)涂覆所述至少一个虚设栅极堆叠(510)的侧边缘；

移除所述至少一个虚设栅极堆叠(510)，从而形成至少一个栅极腔；以及

用替代栅极堆叠(520)填充所述至少一个栅极腔。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，还包括在所述至少一个被涂覆的栅极堆叠(520)旁边提供有源区电极(620)。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，该方法包括提供多个相邻的栅极堆叠(520)，其中提供有源区电极(620)包括填充所述相邻的栅极堆叠(520)之间的间隙。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，提供有源区电极(620)包括提供接触有源区域(600)的导电材料(630、640)。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中提供有源区电极(620)包括：

首先在接触区域处提供介电材料(610)，

然后打开所述介电材料(610)，以及

然后用导电材料(630、640)填充开口。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，还包括：

使所述有源区电极(620)相对于所述间隔体材料(320)选择性地凹陷，由此创建第二组凹陷腔；

用介电材料有源区域盖(350)填充所述第二组凹陷腔；

相对于所述间隔体材料(320)选择性地蚀刻所述有源区域上方的至少一个通孔(920)，穿过所述介电有源区域盖(350)，由此暴露所述有源区电极(620)；

形成电连接所述有源区电极(620)的有源区触点(650)。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，掩模在打开所述接触区域处的介电材料(610)之前被提供，并且接着在打开所述介电材料(610)之后被移除，从而允许所述介电材料(610)的开口被限制到所述介电材料(610)的子部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在用介电材料栅极盖(340)填充所述第一组凹陷腔之后，由一个或多个电绝缘层(710、720、730)以如下的方式来覆盖结构：使得蚀刻所述至少一个栅极堆叠(520)上方的至少一个通孔(920)包括蚀刻穿过所述电绝缘层(710、720、730)并穿过所述介电材料栅极盖(340)。